[發(fā)明專利]一種CdTe/PbTe中紅外發(fā)光器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110053124.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-03-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102364704A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-02-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳惠楨;蔡春鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cdte pbte 紅外 發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種CdTe/PbTe中紅外發(fā)光器件，其特征在于，包括基底和沉積在基底上的CdTe/PbTe異質(zhì)結(jié)，所述CdTe/PbTe異質(zhì)結(jié)主要由窄帶隙PbTe半導(dǎo)體薄膜和較寬帶隙CdTe半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成。
2.一種權(quán)利要求1所述CdTe/PbTe中紅外發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
（1）準(zhǔn)備CdZnTe、BaF2、GaAs、Si或Ge基底；
（2）利用分子束外延（MBE）設(shè)備生長(zhǎng)PbTe單晶薄膜，PbTe單晶薄膜的生長(zhǎng)溫度為300~350°C，厚度為500~2000nm；
（3）再利用分子束外延（MBE）設(shè)備在PbTe薄膜上生長(zhǎng)CdTe，CdTe薄膜的生長(zhǎng)溫度為50~275°C，?厚度為50~500nm。
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