[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110052843.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-03-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102157500A | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙亞俊;石海忠;顧夏茂;陳巧鳳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L25/00 | 分類號(hào)： | H01L25/00;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市惠誠(chéng)律師事務(wù)所 11353 | 代理人： | 雷志剛;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括承載第一部件(1)的第一載片臺(tái)(4)，以及承載第二部件(2)的第二載片臺(tái)(5)；
所述第一部件(1)的厚度大于所述第二部件(2)的厚度，所述第一載片臺(tái)(4)的深度大于第二載片臺(tái)(5)的深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述第一部件(1)和第二部件(2)之間的厚度差約等于所述第一載片臺(tái)(4)和第二載片臺(tái)(5)之間的深度差。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述第一部件(1)和第二部件(2)之間的厚度差與所述第一載片臺(tái)(4)和第二載片臺(tái)(5)之間的深度差之間的差值小于或等于250微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二載片臺(tái)(5)與第一載片臺(tái)(4)之間具有大于或等于350微米的深度差。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一部件(1)和第二部件(2)的厚度差與所述第一載片臺(tái)(4)和第二載片臺(tái)(5)的深度差之間的差值小于或等于150微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二載片臺(tái)(5)與第一載片臺(tái)(4)之間具有大于450微米的深度差。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一部件(1)厚度為900微米；所述第二部件(2)厚度為300微米；所述第一載片臺(tái)(4)與第二載片臺(tái)(5)之間具有550微米的相對(duì)深度差。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一載片臺(tái)(4)和所述第二載片臺(tái)(5)之間由連筋連接。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件，例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件，例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
