[發(fā)明專利]天鵝絨復(fù)合陰極材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110052624.4 | 申請日： | 2011-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN102683135A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王兵;熊鷹 | 申請（專利權(quán)）人： | 西南科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01J1/304 | 分類號： | H01J1/304;H01J23/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿誠;吳彥峰 |
| 地址： | 621000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 天鵝絨 復(fù)合 陰極 材料 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種天鵝絨復(fù)合陰極材料，其特征在于在天鵝絨陰極材料背面和正面均鍍覆一層高熔點金屬薄膜，所鍍覆高熔點金屬薄膜為鍍覆在天鵝絨陰極材料的纖維表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天鵝絨復(fù)合陰極材料，其特征在于高熔
點金屬薄膜為金屬鎢薄膜或金屬鉬薄膜。
3.一種如權(quán)利要求1所述的天鵝絨復(fù)合陰極材料的制備方法，其
特征在于包括以下步驟：
a、將天鵝絨陰極材料置于真空電子束蒸發(fā)沉積鍍膜儀中，抽
真空至真空度1.0?~?7.0?×?10-3?Pa，將天鵝絨陰極加熱至200?~?300℃；
b、啟動聚焦電子束，使其轟擊高熔點金屬靶材表面20?~?40
分鐘，聚焦電子束流密度為200?~?300?mA，然后自然冷卻；
c、將天鵝絨陰極材料在真空電子束蒸發(fā)沉積鍍膜儀中位置換一面，重復(fù)以上步驟（a）~（b），完成背面和正面鍍覆。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西南科技大學(xué)，未經(jīng)西南科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110052624.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
