[發(fā)明專利]模板的表面處理方法及裝置以及圖案形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110052481.7 | 申請日: | 2011-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN102208335A | 公開(公告)日: | 2011-10-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 河村嘉久;小林克稔;伊藤信一;林秀和;富田寬 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 陳海紅;周春燕 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模板 表面 處理 方法 裝置 以及 圖案 形成 | ||
1.一種模板的表面處理方法,其在胺被管理為小于等于預(yù)定濃度的環(huán)境中對具備圖案面的模板的表面進行處理,所述圖案面具有凹凸,該方法包括:
將前述模板的表面氫氧化或使水吸附于前述表面,使0H基分布于前述表面的工序;以及
使偶聯(lián)劑結(jié)合于分布有前述0H基的模板表面的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
在使0H基分布于前述表面的工序與使偶聯(lián)劑結(jié)合于前述模板表面的工序之間,進一步包括除去前述模板表面的水分的一部分的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
以大于等于100℃且小于等于200℃對前述模板表面進行加熱,除去前述模板的表面的水分的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
在使前述偶聯(lián)劑結(jié)合的工序中,在偶聯(lián)反應(yīng)中進行反應(yīng)副產(chǎn)物的除去。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
前述偶聯(lián)劑以氣體供給,在偶聯(lián)反應(yīng)中使反應(yīng)氛圍氣體循環(huán)而進行反應(yīng)副產(chǎn)物的除去。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
在使0H基分布于前述模板的表面的工序之前,進一步包括從前述表面除去無機物微粒及有機物的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
通過等離子灰化從前述表面除去有機物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
對模板表面供給清洗液而除去無機物微粒;
將模板表面的前述清洗液置換為醇;
將模板表面的前述醇置換為稀釋劑;
將模板表面的前述稀釋劑置換為前述偶聯(lián)劑,使前述偶聯(lián)劑結(jié)合于模板表面;
在前述偶聯(lián)劑的結(jié)合之后,使模板表面干燥。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
使前述偶聯(lián)劑結(jié)合于模板表面之后,進一步包括在保管部保管前述模板的工序,所述保管部被管理為胺小于等于預(yù)定濃度、微粒數(shù)小于等于預(yù)定值,且該保管部成為惰性氣體氛圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板的表面處理方法,其特征在于:
前述偶聯(lián)劑是含有硅、在端部具有烷氧基(R0-)或NHx(x=1、2)基的碳氫化合物或氟碳化合物。
11.一種圖案形成方法,包括:
在被處理基板上涂敷壓印材料的工序;
使通過權(quán)利要求1所述的模板的表面處理方法進行了表面處理的模板的圖案面接觸于前述壓印材料的工序;
在使前述模板接觸于前述壓印材料的狀態(tài)下使前述壓印材料固化的工序;以及
使前述模板從前述壓印材料脫模的工序。
12.一種模板的表面處理裝置,具備:
第1反應(yīng)室,其設(shè)置有對具備圖案面的模板的表面照射光的光照射部及供給H2O/O2/N2的混合氣體的第1供給部,所述圖案面具有凹凸;
第2反應(yīng)室,其設(shè)置有對前述模板進行加熱的加熱部及對前述模板的表面供給偶聯(lián)劑的第2供給部;以及
過濾器,其除去胺,將自身裝置內(nèi)的氣體的胺濃度保持為小于等于預(yù)定值。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的模板的表面處理裝置,其特征在于:
前述第2供給部供給氮與硅烷偶聯(lián)劑的混合氣體。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的模板的表面處理裝置,其特征在于,進一步具備:
第3反應(yīng)室,其設(shè)置有從前述模板的表面吸附除去無機物微粒的除去部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的模板的表面處理裝置,其特征在于:
前述除去部通過加壓滾筒將粘接片壓接及剝離于前述模板的表面,而吸附除去前述無機物微粒。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社東芝,未經(jīng)株式會社東芝許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110052481.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





