[發(fā)明專利]一種二元材料（Zr，Ce）O2納米點、制備方法及應用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110052460.5
• 申請日: 2011-03-04
• 公開（公告）號: CN102180703A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設計）人: 劉敏;徐燕;葉帥;吳紫平;呂昭;程艷玲;馬麟;邱火勤;董傳博;索紅莉
• 申請（專利權）人: 北京工業(yè)大學
• 主分類號: C04B41/50
• 分類號: C04B41/50;C04B41/52
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 沈波

1.一種二元材料(Zr、Ce)O₂納米點，其特征在于，由Zr_1-xCe_xO₂復合氧化物固溶體組成，0.1≤x≤0.9；涂覆在基板上的不連續(xù)的、高度在5～60nm、直徑在20～150nm、顆粒密度在10～100個/μm的Ce摻雜的ZrO₂納米點。

2.權利要求1的二元材料(Zr、Ce)O₂納米點的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)制備前驅液：將乙酰丙酮鋯和乙酰丙酮鈰按鋯離子與鈰離子的摩爾比為1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驅液，其中，0.1≤x≤0.9，鋯離子與鈰離子的總濃度為0.002～0.02mol/L；

2)涂敷前驅液：將步驟1)制備的前驅液采用旋涂或者浸涂的方式涂敷到單晶基板上，得到前驅膜；

3)高溫燒結：在通保護氣體的條件下，將前驅膜于950～1200℃燒結10～500分鐘，得到不連續(xù)的、高度在5～60nm、直徑在20～150nm、顆粒密度在10～100個/μm的Ce摻雜的ZrO₂納米點。

3.按照權利要求2的方法，其特征在于，步驟1)中采用的單晶基板有一定的預切割處理，角度分別為0～20度；基板材料為LaAlO₃或SrTiO₃。

4.按照權利要求2的方法，其特征在于，步驟2)中采用旋涂方式將前驅液涂敷到單晶基板上時，旋轉涂敷的轉數(shù)為2000～5000rpm，旋涂時間為30～120s；采用浸涂方式將前驅液涂敷到單晶基板上時，垂直提拉基板的速度為10～150毫米/分鐘。

5.按照權利要求2的方法，其特征在于，步驟3)中所述的保護氣體為H₂氣、N₂氣或Ar氣的一種或幾種的混合。

6.一種提高YBCO的場性能的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)制備前驅液：將乙酰丙酮鋯和乙酰丙酮鈰按鋯離子與鈰離子的摩爾比為1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驅液，其中，0.1≤x≤0.9，鋯離子與鈰離子的總濃度為0.002～0.02mol/L；

2)涂敷前驅液：將步驟1)制備的前驅液采用旋涂或者浸涂的方式涂敷到單晶基板上，得到前驅膜；

3)高溫燒結：在通保護氣體的條件下，將前驅膜于950～1200℃燒結10～500分鐘，得到不連續(xù)的、高度在5～60nm、直徑在20～150nm、顆粒密度在10～100個/μm的Ce摻雜的ZrO₂納米點。

4)在上述涂有納米點的過渡層基板上用低氟MOD工藝制備YBCO膜。