[發明專利]電荷平衡功率器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110052282.6
• 申請日: 2011-03-04
• 公開（公告）號: CN102655172A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 尹鐘晚;金秀圣;吳侊勛
• 申請（專利權）人: 特瑞諾科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 林錦輝;陳英俊

1.一種電荷平衡功率器件的晶片結構，包括：

電荷平衡體區，其中排列有作為第一導電型雜質區的一個或多個第一導電型柱和作為第二導電型雜質區的一個或多個第二導電型柱；以及

被設置在所述電荷平衡體區上的第一導電型外延層，

其中，排列在所述電荷平衡體區中的所述一個或多個第二導電型柱與在所述第一導電型外延層中形成的晶體管區中所形成的一個或多個第二導電型阱不是垂直對齊的。

2.根據權利要求1所述的晶片結構，其中，所述晶體管區和所述電荷平衡體區所處的位置使得彼此不接觸。

3.根據權利要求1所述的晶片結構，其中，排列在所述晶體管區中的一個或多個第二導電型阱與排列在所述電荷平衡體區中的一個或多個第二導電型柱相接觸。

4.根據權利要求1所述的晶片結構，其中，所述一個或多個第一導電型柱和所述一個或多個第二導電型柱構成超結結構。

5.根據權利要求1所述的晶片結構，其中，所述一個或多個第二導電型柱在用于制造所述電荷平衡功率器件的晶片的整個區域中按條紋圖案、格子圖案、在格子圖案的格點插入桿所形成的桿圖案中的一種或多種圖案排列。

6.根據權利要求1所述的晶片結構，其中，所述第一導電型是P型和N型中的一型，而所述第二導電型是P型和N型中的另一型。

7.一種電荷平衡功率器件，包括：

電荷平衡體區，其中排列有作為第一導電型雜質區的一個或多個第一導電型柱和作為第二導電型雜質區的一個或多個第二導電型柱；

形成在所述電荷平衡體區上的第一導電型外延層；以及

形成在所述第一導電型外延層中的晶體管區，

其中，排列在所述電荷平衡體區中的所述一個或多個第二導電型柱與形成在所述晶體管區中的一個或多個第二導電型阱不是垂直對齊的。

8.根據權利要求7所述的電荷平衡功率器件，其中，所述晶體管區和所述電荷平衡體區所處的位置使得彼此不接觸。

9.根據權利要求7所述的電荷平衡功率器件，其中，形成在所述晶體管區中的一個或多個第二導電型阱與排列在所述電荷平衡體區中的一個或多個第二導電型柱相接觸。

10.根據權利要求7所述的電荷平衡功率器件，其中，所述一個或多個第一導電型柱和所述一個或多個第二導電型柱構成超結結構。

11.根據權利要求7所述的電荷平衡功率器件，其中，所述一個或多個第二導電型柱在用于制造所述電荷平衡功率器件的晶片的整個區域中按條紋圖案、格子圖案、在格子圖案的格點插入桿所形成的桿圖案中的一種或多種圖案排列。

12.根據權利要求7所述的電荷平衡功率器件，其中，所述第一導電型是P型和N型中的一型，而所述第二導電型是P型和N型中的另一型。

13.一種電荷平衡功率器件的制造方法，包括：

形成電荷平衡體區，其中，在所述電荷平衡體區中排列有作為第一導電型雜質區的一個或多個第一導電型柱和作為第二導電型雜質區的一個或多個第二導電型柱；

在所述電荷平衡體區上形成第一導電型外延層；以及

在所述第一導電型外延層中形成晶體管區。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，排列在所述電荷平衡體區中的所述一個或多個第二導電型柱與形成在所述晶體管區中的一個或多個第二導電型阱不是垂直對齊的。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述晶體管區和所述電荷平衡體區所處的位置使得彼此不接觸。

16.根據權利要求13所述的方法，其中，形成在所述晶體管區中的一個或多個第二導電型阱與排列在所述電荷平衡體區中的一個或多個第二導電型柱相接觸。

17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述一個或多個第一導電型柱和所述一個或多個第二導電型柱構成超結結構。

18.根據權利要求13所述的方法，其中，所述一個或多個第二導電型柱在用于制造所述電荷平衡功率器件的晶片的整個區域中按條紋圖案、格子圖案、在格子圖案的格點插入桿所形成的桿圖案中的一種或多種圖案排列。

19.根據權利要求13所述的方法，其中，所述第一導電型是P型和N型中的一型，而所述第二導電型是P型和N型中的另一型。