[發明專利]一種差分的射頻開關電路

在審

• 申請號: 201110052219.2
• 申請日: 2011-03-04
• 公開（公告）號: CN102655404A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 文耀鋒
• 申請（專利權）人: 蘇州聯科盛世科技有限公司
• 主分類號: H03K17/56
• 分類號: H03K17/56
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 王松

技術領域

本發明屬于電子電路技術領域，涉及一種差分的射頻開關電路。?

背景技術

在無線或者移動通信系統中常常會用到射頻開關(RF?switch)進行射頻通道選擇。例如用射頻開關選擇接收和發射通道，從而在共用天線的情況下實現無線信號的接收和發送；在軍用寬頻段電臺中為了增加抗干擾性能，使用射頻開關選擇不同頻段的濾波器。在這些系統中一般都要求射頻開關有盡可能低的差損和高的隔離度。由于開關器件的非理想性，導致射頻開關電路有一定的插損，隔離度也有限。很難在低插損下達到高隔離特性。傳統的方法是在電路中用并聯的電感諧振掉開關器件的寄生電容，隔離度可達到40dB以上，插損一般在0.5～1dB。類似的方法還有并聯電阻-電容-電阻法。這兩種方法的缺點是工作頻帶較窄。?

另外，還有通過連接成多個級的場效應晶體管的射頻開關電路，如圖1所示，該電路包括基本開關部分，其包括串聯連接的多個場效應晶體管并設置在用于輸入和輸出射頻信號的輸入/輸出端子和地之間；和多個電阻器元件，每個電阻器元件的一端連接到多個長效應晶體管中的相應場效應晶體管的漏極，并且另一端連接到相應場效應晶體管的源極。在多個電阻器當中，連接在一個場效應晶體管的源極與漏極之間的電阻器的電阻值小于連接在其余每一個場效應晶體管的漏極與源極之間的電阻器的電阻值，其中所述場效應晶體管是在多個場效應晶體管當中連接到輸入/輸出端子的場效應晶體管。該開關電路雖然能在常規射頻開關電路的基礎上改進輸入/輸出功率特性，但其電路損耗仍在0.5dB以上。?

此外，還有并聯分布式場效應管法，這種方法較為復雜，需要對半導體開關器件進行特殊設計。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種差分的射頻開關電路，該開關電路可以將射頻輸出口在PA和LNA接口間進行切換，且射頻損耗在0.5dB以內。?

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案。?

一種差分的射頻開關電路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管；其中，第一NMOS管的漏極與第二NMOS管的源極相連，第三NMOS管的漏極與第四NMOS管的源極相連；第一NMOS管的柵極與第三NMOS管的柵極相連，第二NMOS管的柵極與第四NMOS管的柵極相連；第一NMOS管的夾斷點、第二NMOS管的夾斷點、第三NMOS管的夾斷點及第四NMOS管的夾斷點均接地；第一NMOS管的源極接LNA接口；第二NMOS管的漏極接PA接口；第三NMOS管的源極接LNAB接口；第四NMOS管的漏極接PAB接口；第一NMOS管的漏極與第二NMOS管的源極接ANT接口；第三NMOS管的漏極與第四NMOS管的源極接ANTB接口；第一NMOS管和第三NMOS管的柵極接電阻R1，第二NMOS管和第四NMOS管的柵極接電阻R2。第一NMOS管和第三NMOS管的柵極通過電阻R1接第一倒相放大器的輸出端，第一倒相放大器的輸入端接第二倒相放大器的輸出端；第二NMOS管和第四NMOS管的柵極通過電阻R2接第二倒相放大器的輸出端，第二倒相放大器的輸入端接TR-control接口。?

本發明的有益效果在于：采用了全NMOS設計，在gate上串聯了電阻，可以有效降低MOS管上電容對射頻信號產生的影響，同時串聯電阻隔離了噪聲，使得電路整體的射頻損耗在0.5dB以內；此外，本發明可以將射頻輸出口在PA和LNA接口間進行切換，方便客戶PCB板設計。?

附圖說明

圖1為現有的射頻開關電路的結構示意圖；?

圖2為本發明所述的差分的射頻開關電路的結構原理圖。?

主要組件符號說明：?

1、第一NMOS管；????????2、第二NMOS管；?

3、第三NMOS管；????????4、第四NMOS管；?

5、第一倒相放大器；????6、第二倒相放大器。?

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步詳細說明。?

實施例一?