[發(fā)明專利]太陽電池的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110052208.4
• 申請日: 2011-03-02
• 公開（公告）號: CN102163649A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 胡雁程;郭政彰;陳均維;李欣峯;陳人杰;吳振誠
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發(fā)明涉及一種太陽電池的制造方法，且尤其涉及一種成本低廉且控制容易的太陽電池的制造方法。

背景技術

太陽能是一種干凈無污染且取之不盡、用之不竭的能源，在解決目前石化能源所面臨的污染與短缺的問題時，太陽能一直是最受矚目的焦點。由于太陽電池可直接將太陽能轉換為電能，因此，已成為目前產業(yè)界相當重要的研究課題之一。

硅基太陽電池(silicon-based?solar?cell)為業(yè)界常見的一種太陽電池。硅基太陽電池的原理是將二個不同摻雜型態(tài)的(即P型與N型摻雜型態(tài))的半導體層相接合，以形成P-N接面。當太陽光照射到具有此P-N結構的半導體時，光子所提供的能量可把半導體價帶中的電子激發(fā)至導帶而產生電子-空穴對(electron-hole?pairs)。電子與空穴均會受到電場的影響，使得空穴沿著電場的方向移動，而電子則往相反的方向移動。如果以導線將此太陽電池與負載(load)連接起來，則可形成一個回路(loop)，并可使太陽電池所產生的電流流過負載，此即為太陽電池發(fā)電的原理。

在太陽電池中，接觸導體與N型摻雜型態(tài)半導體層之間通常會需要形成N型重摻雜(N+doped)型態(tài)的摻雜區(qū)，以使接觸導體與N型摻雜型態(tài)半導體層之間具有良好的歐姆接觸(Ohmic?contact)。目前用以制作N型重摻雜區(qū)的現(xiàn)有技術包括傳統(tǒng)的微影工藝(photo-lithography)、激光圖案化工藝(laser?patterning)、回蝕刻工藝(etch-back?process)等。很明顯地，制作N型重摻雜區(qū)需要額外的工藝，導致太陽電池的制造成本增加。此外，前述的微影工藝、激光圖案化工藝以及回蝕刻工藝工藝不易控制，且微影工藝、激光圖案化工藝以及回蝕刻工藝工藝在進行時，常會造成缺陷(defects)，導致太陽電池的良率下降。承上述，如何在不大幅增加制造成本的情況下，提升太陽電池的制造良率，實為目前亟欲解決的課題之一。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種太陽電池的制造方法，其使太陽電池的制造簡易，進而可有效地降低制造成本。

本發(fā)明提供一種太陽電池的制造方法，其包括：提供一第一型摻雜半導體基材，此第一型摻雜半導體基材具有一第一表面以及一與第一表面相對的第二表面；于部分的第一型摻雜半導體基材中形成一第二型摻雜擴散區(qū)，第二型摻雜擴散區(qū)自第一表面延伸至第一型摻雜半導體基材中；于基材的第一表面上形成一與第二型擴散層接觸的抗反射層；于抗反射層上形成導電膠(conductive?paste)，此導電膠包括導電粒子(conductive?particles)、摻質(dopants)、基質(matrix)以及粘結劑(binder)；進行一共燒結工藝(co-firing?process)，以使導電膠穿過抗反射層而形成一嵌于抗反射層的第一接觸導體，在共燒結工藝中，摻質擴散至第二型摻雜擴散區(qū)以形成一第二型重摻雜區(qū)；以及于第一型摻雜半導體基材的第二表面上形成一第二接觸導體。

其中，該第一型摻雜半導體基材為一P型摻雜的基材，該第二型摻雜擴散區(qū)為一N型擴散區(qū)。

其中，該第一型摻雜半導體基材的厚度大于該第二型摻雜區(qū)的深度。

其中，該些導電粒子包括銀粒子。

其中，該些導電粒子包括鋁粒子。

其中，該摻質包括三氧化二硼、磷酸、五氧化二磷或鋁鹽。

其中，該基質包括氧化硅基質或硅基質。

其中，該粘結劑包括稠化劑或濕潤劑。

其中，該導電膠更包括添加劑。

其中，該導電膠更包括溶劑。

其中，該導電膠通過網(wǎng)板印刷的方式形成于該抗反射層上。

其中，該抗反射層通過化學氣相沉積方式形成于該第一型摻雜半導體基材的該第一表面上。

本發(fā)明另提供一種太陽電池的制造方法，其包括：提供一第一型摻雜半導體基材，此第一型摻雜半導體基材具有一第一表面以及一與第一表面相對的第二表面；于部分的第一型摻雜半導體基材中形成一第二型摻雜擴散區(qū)，第二型摻雜擴散區(qū)自第一表面延伸至第一型摻雜半導體基材中；于基材的第一表面上形成一與第二型擴散層接觸的抗反射層；以及于抗反射層上形成一導電膠，此導電膠包括導電粒子以及摻質，并進行一共燒結工藝，以使導電膠穿過抗反射層而形成一嵌于抗反射層的第一接觸導體，在共燒結工藝中，摻質擴散至第二型摻雜擴散區(qū)以形成一第二型重摻雜區(qū)。

在本發(fā)明的一實施例中，前述的第一型摻雜半導體基材例如為一P型摻雜的基材，而第二型摻雜擴散區(qū)例如為一N型擴散區(qū)。