[發明專利]淺溝槽隔離的制造方法無效
| 申請號： | 201110051917.0 | 申請日： | 2011-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN102655111A | 公開（公告）日： | 2012-09-05 |
| 發明（設計）人： | 王新鵬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 制造 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，包括：
提供硅襯底，所述硅襯底上順次形成有墊氧化硅層、硅層和氮化硅層；
依次刻蝕所述墊氧化硅層、硅層、氮化硅層和部分硅襯底，以形成溝槽；
進行硅的氧化工藝，以在所述溝槽內形成第一二氧化硅層；
在所述第一二氧化硅層和氮化硅層上形成第二二氧化硅層；
通過化學機械研磨工藝去除所述氮化硅層上的第二二氧化硅層；
依次去除所述氮化硅層和硅層，形成淺溝槽隔離。
2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，通過爐管工藝進行硅的氧化工藝。
3.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述爐管工藝的工藝溫度為800℃～1200℃。
4.如權利要求2或3所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述爐管工藝的工藝時間為10s～60s。
5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述硅層為單晶硅層或者多晶硅層或者非晶硅層中的一種或其組合。
6.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述硅層的厚度為300埃～700埃。
7.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述第一二氧化硅層的厚度為100埃～200埃。
8.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述第二二氧化硅層的厚度為1000埃～5000埃。
9.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，通過濕法刻蝕工藝去除所述硅層。
10.如權利要求9所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝對硅和二氧化硅的蝕刻選擇比大于200∶1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
