[發明專利]一種豎直二極管陣列的制造方法有效
| 申請號： | 201110051916.6 | 申請日： | 2011-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN102655090A | 公開（公告）日： | 2012-09-05 |
| 發明（設計）人： | 李凡;張海洋 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L21/762;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 豎直 二極管 陣列 制造 方法 | ||
1.一種豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底內部形成有N/P型區，所述半導體襯底上依次形成有外延層、第一硬掩膜層和第二硬掩膜層；
沿位線方向進行刻蝕，形成貫穿所述N/P型區的位線方向深溝槽；
移除所述第二硬掩膜層，并在所述第一硬掩膜層和位線方向深溝槽表面沉積第一氧化層；
在所述位線方向深溝槽中填充多晶硅，回刻蝕所述多晶硅后沉積第二氧化層并平坦化至所述第一硬掩膜層；
在所述第一硬掩膜層上形成與所述位線方向深溝槽垂直的圖案化的字線方向光刻膠；
以所述圖案化的字線方向光刻膠為掩膜，去除第一硬掩膜層，對所述第二氧化層進行凹槽刻蝕，形成凹槽；
剝離所述圖案化的字線方向光刻膠，對所述凹槽進行濕法清洗；
對所述位線方向深溝槽與所述圖案化的字線方向光刻膠所圍的區域進行刻蝕，形成淺槽隔離結構；
在所述位線方向上兩相鄰的所述淺槽隔離結構之間區域的外延層中形成PN結，得到豎直二極管陣列。
2.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，所述第一氧化層為正硅酸乙酯熱分解SiO2層。
3.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，所述形成所述N/P型區的位線方向深溝槽采用的刻蝕方式為垂直刻蝕或倒梯形傾斜刻蝕。
4.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，采用高深寬比工藝和高濃度等離子體化學氣相沉積工藝沉積所述第二氧化層。
5.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，所述凹槽底部的第二氧化層厚度大于側壁的第二氧化層厚度。
6.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，對所述凹槽采用稀釋氫氟酸進行濕法清洗。
7.如權利要求6所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，所述稀釋氫氟酸采用質量分數為49％的氫氟酸和水按照體積比1∶50～1∶100配制而成。
8.如權利要求1或7所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，對所述凹槽進行濕法清洗后凹槽底部保留的第二氧化層厚度為100～200埃。
9.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，所述第第一硬掩膜層為氮化硅層。
10.如權利要求1所述的豎直二極管陣列的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層為氧化硅層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
