[發(fā)明專利]表現(xiàn)雙耗盡的高電子遷移率晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110051882.0
• 申請(qǐng)日: 2011-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN102194867A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃仁俊;金鐘燮;崔赫洵;洪起夏;申在光;吳在浚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

1.一種高電子遷移率晶體管，包括在具有不同極性的多個(gè)半導(dǎo)體層上的源極、柵極和漏極，

其中，雙耗盡區(qū)域存在于源極和漏極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中，在所述多個(gè)半導(dǎo)體層中的具有相對(duì)低的極性的半導(dǎo)體層包括二維電子氣和二維空穴氣中的至少一種。

3.如權(quán)利要求2所述的高電子遷移率晶體管，其中，多個(gè)半導(dǎo)體層包括上材料層、中間材料層和下材料層，

中間材料層的極性不同于上材料層的極性和下材料層的極性。

4.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中，下材料層包括二維電子氣溝道，上材料層包括二維空穴氣溝道。

5.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中，上材料層包括二維電子氣溝道，下材料層包括二維空穴氣溝道。

6.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中，二維電子氣溝道形成在中間材料層的與上材料層接觸的表面上，

二維空穴氣溝道形成在中間材料層的與下材料層接觸的表面上。

7.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中，二維電子氣溝道形成在中間材料層的與下材料層接觸的表面上，

二維空穴氣溝道形成在中間材料層的與上材料層接觸的表面上。

8.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中，中間材料層是單材料層或多材料層。

9.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括上材料層、中間材料層和下材料層，

柵極和漏極在上材料層上且彼此分開地設(shè)置。

10.如權(quán)利要求9所述的高電子遷移率晶體管，其中，源極在上材料層上。

11.如權(quán)利要求10所述的高電子遷移率晶體管，其中，上材料層包括二維空穴溝道，源極直接接觸二維空穴氣溝道并接觸上材料層的側(cè)表面。

12.如權(quán)利要求9所述的高電子遷移率晶體管，所述高電子遷移率晶體管還包括在上材料層和柵極之間的絕緣層。

13.一種高電子遷移率晶體管，所述高電子遷移率晶體管包括：

中間材料層，在下材料層上；

上材料層和漏極，在中間材料層上方；

柵極，在中間材料層和上材料層中的至少一個(gè)上；

源極，在中間材料層和上材料層中的至少一個(gè)上，

其中，中間材料層的極性不同于上材料層的極性和下材料層的極性，

雙耗盡區(qū)域存在于柵極和漏極之間。

14.如權(quán)利要求13所述的高電子遷移率晶體管，其中，上材料層和漏極接觸中間材料層，

源極與柵極分開地設(shè)置，且源極設(shè)置在中間材料層或上材料層上。

15.如權(quán)利要求14所述的高電子遷移率晶體管，其中，柵極和源極在上材料層上。

16.如權(quán)利要求13所述的高電子遷移率晶體管，其中，柵極和源極在中間材料層上，

柵極的側(cè)表面接觸上材料層。

17.如權(quán)利要求16所述的高電子遷移率晶體管，其中，柵極與上材料層歐姆接觸，

柵極和中間材料層形成肖特基接觸。

18.如權(quán)利要求16所述的高電子遷移率晶體管，其中，柵極包括第一柵極和第二柵極。

19.如權(quán)利要求18所述的高電子遷移率晶體管，其中，第一柵極與上材料層歐姆接觸，

第二柵極與第一柵極和上材料層歐姆接觸，并與中間材料層形成肖特基接觸。

20.如權(quán)利要求13所述的高電子遷移率晶體管，其中，源極和漏極中的至少一個(gè)接觸下材料層的側(cè)表面。

21.如權(quán)利要求13所述的高電子遷移率晶體管，其中，所述高電子遷移率晶體管還包括在柵極與中間材料層和上材料層中的至少一個(gè)之間的絕緣層。

22.如權(quán)利要求13所述的高電子遷移率晶體管，其中，上材料層和漏極在中間材料層上彼此分開地設(shè)置。

23.如權(quán)利要求13所述的高電子遷移率晶體管，其中，源極在上材料層上。

24.如權(quán)利要求23所述的高電子遷移率晶體管，其中，上材料層包括二維空穴溝道，源極直接接觸二維空穴氣溝道并接觸上材料層的側(cè)表面。