[發(fā)明專利]半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物、半導(dǎo)體裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110051870.8 | 申請日： | 2011-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN102190864A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 榎本哲也;宮澤笑;本田一尊;永井朗;大久保惠介 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立化成工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C08L63/00 | 分類號： | C08L63/00;C08L71/12;C08G59/42;C08K3/36;C08K5/55;H01L21/56;H01L21/50;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;李昆岐 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 密封 填充 環(huán)氧樹脂 組合 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物，以環(huán)氧樹脂、酸酐、固化促進(jìn)劑、助熔劑為必須成分，固化促進(jìn)劑是季鏻鹽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物，其中，季鏻鹽是四烷基鏻鹽或四芳基鏻鹽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物，其中，進(jìn)一步含有無機(jī)填料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項記載的半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物，其形成為膜狀。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：
第一工序：將權(quán)利要求1～4中任一項記載的半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物供給到半導(dǎo)體芯片或基板上；
第二工序：對半導(dǎo)體芯片和基板進(jìn)行位置對準(zhǔn)后，對半導(dǎo)體芯片和基板進(jìn)行倒裝片連接，同時將半導(dǎo)體芯片和基板之間的空隙用所述半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物密封填充。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其具備：
基板；與該基板電連接的半導(dǎo)體芯片；密封所述基板和所述半導(dǎo)體芯片之間的空隙的密封樹脂，該樹脂由權(quán)利要求1～4中任一項記載的半導(dǎo)體密封填充用環(huán)氧樹脂組合物的固化物形成。
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