[發(fā)明專利]發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110051726.4 | 申請日： | 2011-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN102194948A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁煥熙;李尚烈;宋俊午;崔光基;文智炯 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/24 | 分類號： | H01L33/24;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00;H01L25/075;H01L33/48 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 封裝 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導體層、有源層以及第二導電半導體層；
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的包括碳納米管的納米管層；
在所述第一和第二半導體層中的一個上的第一電極；以及
在所述第一和第二半導體層的另一個上的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述納米管層具有處于大約10nm至大約10μm的范圍內(nèi)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述納米管層形成在與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面的面積的至少70％相對應的面積處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述納米管層被構(gòu)圖，并且所述第二電極具有與所述納米管層的面積相同的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述納米管層被布置在所述第二電極和所述第二半導體層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極接觸所述第二半導體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極被構(gòu)圖，并且所述納米管層形成在所述第二半導體層上并且包圍所述第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述納米管層具有小于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率的折射率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的凹凸結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述納米管層具有與所述凹凸結(jié)構(gòu)相對應的形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極包括具有導電性的支撐構(gòu)件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述第一電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的歐姆接觸層和反射層中的至少一個。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，進一步包括電流阻擋層，所述電流阻擋層被布置在所述反射層和所述歐姆接觸層中至少一個和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間并且在垂直方向中部分地重疊所述第二電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述反射層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的外圍部分處的保護層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進一步包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的至少側(cè)表面上的鈍化層。
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