[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體器件及使用該器件的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110051644.X
• 申請日: 2011-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN102214644A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 瀧澤聰毅;谷津誠
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)控股株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L25/16;H02M7/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種應(yīng)用于具有三個(gè)或更多個(gè)電壓波形電平的多電平轉(zhuǎn)換器電路的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

第一IGBT、其陰極連接到所述第一IGBT的發(fā)射極的二極管、以及具有反向阻斷電壓的第二IGBT容納于一個(gè)封裝中，其中所述第二IGBT的發(fā)射極連接到所述第一IGBT的發(fā)射極，且所述第一IGBT的集電極、所述第二IGBT的集電極、所述第一IGBT的發(fā)射極與所述第二IGBT的發(fā)射極的連接點(diǎn)、以及所述二極管的陽極均為外部端子。

2.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

所述第一IGBT的所述集電極是連接到直流電源的正電極的端子P，所述第二IGBT的所述集電極是連接到所述直流電源的中間點(diǎn)的端子M，所述第一IGBT的所述發(fā)射極與所述第二IGBT的所述發(fā)射極的所述連接點(diǎn)是輸出端子U，所述二極管的所述陽極是連接到所述直流電源的所述負(fù)電極的端子N，且端子陣列以線性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的順序放置。

3.一種應(yīng)用于具有三個(gè)或更多個(gè)電壓波形電平的多電平轉(zhuǎn)換器電路的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

第一IGBT、其陽極連接到所述第一IGBT的集電極的二極管、以及具有反向阻斷電壓的第二IGBT容納于一個(gè)封裝中，其中所述第二IGBT的集電極連接到所述第一IGBT的集電極，且所述第一IGBT的發(fā)射極、所述第二IGBT的發(fā)射極、所述第一IGBT的集電極與所述第二IGBT的集電極的連接點(diǎn)、以及所述二極管的陰極均為外部端子。

4.如權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

所述第一IGBT的所述發(fā)射極是連接到直流電源的負(fù)電極的端子N，所述第二IGBT的所述發(fā)射極是連接到所述直流電源的中間點(diǎn)的端子M，所述第一IGBT的所述集電極與所述第二IGBT的所述集電極的所述連接點(diǎn)是輸出端子U，所述二極管的所述陰極是連接到所述直流電源的正電極的端子P，且端子陣列以線性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的順序放置。

5.一種應(yīng)用于具有三個(gè)或更多個(gè)電壓波形電平的多電平轉(zhuǎn)換器電路的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

第一IGBT、其陰極連接到所述第一IGBT的發(fā)射極的第一二極管、以及第二二極管和第二IGBT的串聯(lián)電路容納于一個(gè)封裝中，其中所述串聯(lián)電路的一端連接到所述第一IGBT的發(fā)射極，且所述第一IGBT的集電極、所述串聯(lián)電路的另一端、所述第一IGBT的發(fā)射極與所述串聯(lián)電路的所述一端的連接點(diǎn)、以及所述第一二極管的陽極均為外部端子。

6.如權(quán)利要求5所述的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

所述第一IGBT的所述集電極是連接到直流電源的正電極的端子P，所述串聯(lián)電路的另一端是連接到所述直流電源的中間點(diǎn)的端子M，所述第一IGBT的所述發(fā)射極和所述串聯(lián)電路的所述一端的所述連接點(diǎn)是輸出端子U，所述第一二極管的所述陽極是連接到所述直流電源的負(fù)電極的端子N，且端子陣列以線性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的順序放置。

7.一種應(yīng)用于具有三個(gè)或更多個(gè)電壓波形電平的多電平轉(zhuǎn)換器電路的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

第一IGBT、其陽極連接到所述第一IGBT的集電極的第一二極管、以及第二二極管和第二IGBT的串聯(lián)電路容納于一個(gè)封裝中，其中所述串聯(lián)電路的一端連接到所述第一IGBT的集電極，且所述第一IGBT的發(fā)射極、所述串聯(lián)電路的另一端、所述第一IGBT的集電極與所述串聯(lián)電路的連接點(diǎn)、以及所述第一二極管的陰極均為外部端子。

8.如權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，

所述第一IGBT的所述發(fā)射極是連接到直流電源的負(fù)電極的端子N，所述串聯(lián)電路的另一端是連接到所述直流電源的中間點(diǎn)的端子M，所述第一IGBT的所述集電極與所述串聯(lián)電路的所述一端的所述連接點(diǎn)是輸出端子U，所述第一二極管的所述陰極是連接到所述直流電源的正電極的端子P，且端子陣列以線性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的順序放置。

9.一種功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其特征在于，

通過使如權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體模塊和如權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體模塊相鄰地放置，由此使所述兩個(gè)功率半導(dǎo)體模塊的所述端子陣列相互平行。

10.一種功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其特征在于，

通過使如權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體模塊和如權(quán)利要求8所述的功率半導(dǎo)體模塊相鄰地放置，由此使所述兩個(gè)功率半導(dǎo)體模塊的所述端子陣列相互平行。