[發明專利]利用高分子涂布法對金屬壓鑄件表面改質的方法

無效

• 申請號: 201110051317.4
• 申請日: 2011-03-03
• 公開（公告）號: CN102642346A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 林俊宏;蘇家慶;邱耀弘
• 申請（專利權）人: 晟銘電子科技股份有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/08;H05K5/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該方法包含下列步驟：

壓鑄成型一金屬壓鑄件；

以一整平處理程序處理該金屬壓鑄件，使該金屬壓鑄件具有較光滑的一基材表面；

以噴涂、印刷或浸鍍的方式在該基材表面覆上一高分子聚合物，并干燥固化該高分子聚合物；

以真空鍍膜的方式沉積一金屬薄膜于該高分子聚合物上；以及

覆上一透明保護層于該金屬薄膜上。

2.如權利要求1所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該整平處理程序為機械性研磨或機械性拋光。

3.如權利要求1所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，于覆上該高分子聚合物前還包含一預處理的氧化程序，該預處理的氧化程序為自然氧化程序、化學皮膜氧化程序或微弧氧化程序。

4.如權利要求1所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該金屬壓鑄件的材質為可氧化的金屬或輕金屬。

5.如權利要求4所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該金屬壓鑄件的材質為鋁、鎂、鋅、銅、鋁、錫、鐵或合金金屬。

6.如權利要求1所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該高分子聚合物是包含聚胺酯、紫外線硬化樹脂或聚苯硫醚樹脂。

7.如權利要求1所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該金屬薄膜為單層金屬薄膜、多層金屬薄膜或金屬陶瓷薄膜。

8.如權利要求7所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該金屬薄膜為氮化鈦薄膜、氮碳化鈦薄膜、氮化鋁鈦薄膜、氮化鉻薄膜、類鉆薄膜以及氮化鉻鋁鈦薄膜。

9.如權利要求1所述的金屬壓鑄件表面改質的方法，其特征在于，該透明保護層的成份包含聚胺酯或紫外線硬化樹脂。

10.一種金屬壓鑄件結構，其特征在于，其包含：

一金屬壓鑄件，包含一基材表面；

一高分子聚合物，以噴涂、印刷或浸鍍的方式附著于該金屬壓鑄件的該基材表面上；

一層金屬薄膜，以真空鍍膜的方式附著于該高分子聚合物上；以及

一層透明保護層，覆于該金屬薄膜上。

11.如權利要求10所述的金屬壓鑄件結構，其特征在于，該金屬壓鑄件的該基材表面經一機械性研磨或一機械性拋光程序。

12.如權利要求10所述的金屬壓鑄件結構，其特征在于，該金屬壓鑄件的該基材表面經一自然氧化程序、化學皮膜氧化程序或微弧氧化程序。

13.如權利要求10所述的金屬壓鑄件結構，其特征在于，該金屬壓鑄件的材質為可氧化的金屬或輕金屬。

14.如權利要求13所述的金屬壓鑄件結構，其特征在于，該金屬壓鑄件的材質為鋁、鎂、鋅、銅、鋁、鐵或合金金屬。

15.如權利要求10所述金屬壓鑄件結構，其特征在于，該高分子聚合物包含聚胺酯、紫外線硬化樹脂或聚苯硫醚樹脂。

16.如權利要求10所述的金屬壓鑄件結構，其特征在于，該金屬薄膜為單層金屬薄膜、多層金屬薄膜或金屬陶瓷薄膜。

17.如權利要求16所述金屬壓鑄件結構，其特征在于，該金屬薄膜為氮化鈦薄膜、氮碳化鈦薄膜、氮化鋁鈦薄膜、氮化鉻薄膜、類鉆薄膜以及氮化鉻鋁鈦薄膜。

18.如權利要求10所述的金屬壓鑄件結構，其特征在于，該透明保護層的成份包含聚胺酯或紫外線硬化樹脂。

19.一種機殼，其特征在于，其包含：

一金屬壓鑄件，經研磨或拋光后具有較光滑的一基材表面；

一高分子聚合物，以噴涂、印刷或浸鍍的方式附著于該金屬壓鑄件的該基材表面上；

一層金屬薄膜，以真空鍍膜的方式附著于該高分子聚合物上；以及

一層透明保護層，覆于該金屬薄膜上。