[發明專利]薄膜晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201110051214.8
• 申請日: 2011-03-03
• 公開（公告）號: CN102176417A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 姜信銓;賴宥豪;李懷安
• 申請（專利權）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

于一基材上形成一柵極、一源極以及一漏極；

于該基材上形成一柵絕緣層，以覆蓋該柵極并隔絕該柵極與該源極以及該柵極與該漏極；

于該柵絕緣層上形成一具有絕緣特性的金屬氧化物材料層；以及

于該基材上形成一含氫的氮化硅層，以覆蓋該源極、該漏極以及具有絕緣特性的該金屬氧化物材料層，其中形成該含氫的氮化硅層的方法包括進行一沉積程序，且于結束該沉積程序之前，于該沉積程序中通入一硅烷氣體以使具有絕緣特性的該金屬氧化物材料層轉換成一具有半導體特性的金屬氧化物材料層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，于形成具有絕緣特性的該金屬氧化物材料層之后，形成該源極與該漏極，且該源極與該漏極暴露出部分該金屬氧化物材料層。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，于形成該源極與該漏極之后，形成具有絕緣特性的該金屬氧化物材料層，該金屬氧化物材料層的一部分位于該源極與該漏極之間，而該金屬氧化物材料層的另一部分位于該源極與該漏極上。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該金屬氧化物材料層的材質包括II-VI族化合物。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該金屬氧化物材料層還摻雜有選自由堿土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成的族群的一或多個元素。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成具有絕緣特性的該金屬氧化物材料層的方法包括濺鍍法、原子沉積法、旋轉涂布法、噴墨印刷法或網版印刷法。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該濺鍍法包括通入流量介于5?sccm至50?sccm之間的一氧氣氣體以及流量介于20?sccm至50?sccm之間一氬氣氣體。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該沉積程序中所通入的該硅烷氣體的流量介于5?sccm至10?sccm之間。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該沉積程序中還包括通入一氧化二氮氣體以及一氦氣氣體，而所通入該氧化二氮氣體的流量介于500?sccm至1000?sccm之間，所通入該氦氣氣體的流量介于1000?sccm至1500?sccm之間。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該沉積程序中還包括進行一退火程序，而該退火程序的溫度介于200℃至500℃之間。