[發明專利]一種用于替代電磁兼容性輻射試驗的表面電流注入技術

有效

• 申請號: 201110051086.7
• 申請日: 2011-03-03
• 公開（公告）號: CN102183696A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 方愔
• 申請（專利權）人: 中國航空無線電電子研究所
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司 31224
• 代理人: 梁曉霏

1.一種用于替代電磁兼容性輻射試驗的表面電流注入技術，其特征在于，所述技術包括如下步驟：

1）確定輻射試驗規定或用戶要求的高強度場強???????????????????????????????????????????????；

2）根據輻射試驗規定的發射天線至受試件表面的距離、輻射天線方向性，利用通信距離方程計算受試件表面處電磁強度：

式中：是受試件表面處輻射場強，是發射天線的輸出功率，是發射天線的增益，是發射天線至試件表面處的距離，是輻射場的波長；

3）由自由空間中遠區場的電場與磁場關系計算受試件表面處磁場強度：?

式中：是受試件表面處輻射磁場強度，是輻射場傳播方向單位矢量；

4）根據輻射場的極化方向與受試件表面的空間夾角關系計算受試件表面處的表面切向磁場分量：

式中：是受試件表面處輻射磁場切向分量，是輻射場的極化方向與受試件表面的夾角；

5）利用前述“計算方案”中方程（1）計算受試件表面應該注入的表面電流量值：????????????????????????

6）通過表面電流探頭對受試件注入計算出的表面電流J_注入，完成試驗。

2.如權利要求1所述的用于替代電磁兼容性輻射試驗的表面電流注入技術，其特征在于，所述方法以注入電流耦合方式來替代電磁場輻射耦合方式。