[發明專利]玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法與設備

無效

• 申請號: 201110051027.X
• 申請日: 2011-03-01
• 公開（公告）號: CN102653451A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 王耀銘
• 申請（專利權）人: 三福化工股份有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于包含：

提供一蝕刻槽與一蝕刻液循環結晶裝置，該蝕刻槽內儲有至少包含氫氟酸的蝕刻液，該蝕刻液循環結晶裝置包含一結晶槽、一第一過濾器與一加熱裝置，該第一過濾器連接在該結晶槽與該加熱裝置之間；以及

進行一玻璃基板減薄步驟，使裝載有多個玻璃基板的卡匣置入該蝕刻槽內，以化學蝕刻方式薄化該些玻璃基板的厚度，在化學蝕刻過程中同時借由一第一管線持續使該蝕刻槽內蝕刻液輸送到該結晶槽，并保持在該結晶槽內蝕刻液溫度低于在該蝕刻槽內蝕刻液溫度，使該結晶槽內蝕刻液長晶生成結晶，其中未沉淀在該結晶槽底部的結晶在流入該加熱裝置之前先以該第一過濾器過濾出，并在該加熱裝置內借由至少包含補充濃蝕刻液的稀釋熱方式上升蝕刻液溫度與濃度，再借由一第二管線導入至該蝕刻槽，使在化學蝕刻過程中在該蝕刻槽內的蝕刻液保持為未飽和狀態，避免該蝕刻槽內生成結晶而附著在該些玻璃基板的表面。

2.如權利要求1所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于在該蝕刻槽內蝕刻液的溫度控制在攝氏15-80度之間，在該結晶槽內蝕刻液的溫度控制在攝氏10-79度之間。

3.如權利要求1所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于在該蝕刻槽內蝕刻液的溫度控制在攝氏20-40度之間，在該結晶槽內蝕刻液的溫度控制在攝氏18-38度之間。

4.如權利要求1所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于產生稀釋熱所添加的濃蝕刻液具有高于該蝕刻槽內蝕刻液的酸濃度，并且其成份至少包含氫氟酸。

5.如權利要求4所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于該蝕刻液與該濃蝕刻液為混合溶液，其成份包含第二酸，選自于硝酸、鹽酸與硫酸的其中之一。

6.如權利要求4所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于該蝕刻液與該濃蝕刻液為混合溶液，其成份更包含緩沖鹽。

7.如權利要求1至6中任一權利要求所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法，其特征在于在執行上述玻璃基板減薄步驟之后，定期排放在該蝕刻槽內及(或)結晶槽內的部分蝕刻液及結晶，并且添加濃蝕刻液至該蝕刻槽。

8.一種玻璃基板連續結晶式化學蝕刻設備，其特征在于包含：

一蝕刻槽，其內儲有至少包含氫氟酸的蝕刻液；以及

一蝕刻液循環結晶裝置，包含一結晶槽、一第一過濾器與一加熱裝置，該第一過濾器連接在該結晶槽與該加熱裝置之間；

其中在化學蝕刻過程中借由一第一管線持續使該蝕刻槽內蝕刻液輸送到該結晶槽，并保持在該結晶槽內蝕刻液溫度低于在該蝕刻槽內蝕刻液溫度，并在該加熱裝置內借由至少包含補充濃蝕刻液的稀釋熱方式上升蝕刻液溫度與濃度，再借由一第二管線導入至該蝕刻槽。

9.如權利要求8所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻裝置，其特征在于該結晶槽內附設有一降溫裝置。

10.如權利要求8或9所述的玻璃基板連續結晶式化學蝕刻裝置，其特征在于該蝕刻液循環結晶裝置更包含一第二過濾器，連接在該加熱裝置與該蝕刻槽之間。