[發明專利]厚絕緣膜的工藝實現方法

有效

• 申請號: 201110049404.6
• 申請日: 2011-03-02
• 公開（公告）號: CN102655093A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 王海軍;孫勤
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種厚絕緣膜的工藝實現方法，包括步驟：

(1)在需要長絕緣介質膜的地方，先刻蝕槽；

(2)在槽內，根據不同的槽寬，進行爐管氧化；

(3)氧化后，成長填孔性較好的絕緣膜；

(4)化學機械研磨，把表面的凸起磨平；

(5)再把有源區的絕緣膜刻蝕掉，只留下厚的場氧絕緣膜。

2.如權利要求1所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述步驟(1)中，槽的寬度為0.2～1微米，深度為1～20微米，槽的形貌為倒斜狀，角度小于或等于89度角。

3.如權利要求2所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述角度為88度角。

4.如權利要求1所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述步驟(1)中，刻蝕槽的方法包括：

A、在硅片二氧化硅的表面涂覆光刻膠，定義所需要刻蝕的槽；

B、光刻膠曝光后，在硅片外延部分定義所要刻蝕的槽的位置；

C、通過干法等離子體刻蝕，得到所需要的槽。

5.如權利要求4所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述A中的光刻膠的厚度大于0.5微米。

6.如權利要求1所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述步驟(2)中，氧化的厚度在0.4微米～2微米之間；

氧化的溫度為850～1250℃，氧化的時間大于30分鐘。

7.如權利要求1所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述步驟(3)中，以濕氧的方式在爐管里成長填孔性較好的絕緣膜。

8.如權利要求7所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述絕緣膜為爐管成長的比較致密的絕緣膜或亞常壓化學氣相成膜。

9.如權利要求1所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述步驟(5)中，絕緣膜刻蝕方法為干法等離子體刻蝕。

10.如權利要求1所述的厚絕緣膜的工藝實現方法，其特征在于：所述步驟(5)中，場氧絕緣膜的厚度大于2微米。