[發明專利]淺溝槽隔離及其形成方法

無效

• 申請號: 201110048000.5
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN102651332A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 殷華湘;徐秋霞;陳大鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種淺溝槽隔離，所述淺溝槽隔離包括：

襯底，所述襯底具有第一區域和第二區域；

所述第一區域的襯底內的第一溝槽，以及所述第二區域的襯底內的第二溝槽；

所述第一溝槽內壁上的第一應力絕緣層，以及所述第二溝槽內壁上的第二應力絕緣層，其中，第一應力絕緣層具有與第二應力絕緣層不同的應力絕緣材料；

所述第一應力絕緣層上的第一填充層，以及所述第二應力絕緣層上的第二填充層。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離，其特征在于，所述第一區域為PMOS區域，所述第二區域為NMOS區域。

3.根據權利要求2所述的淺溝槽隔離，其特征在于，所述第一應力絕緣層具有壓應力，所述第二應力絕緣層具有張應力。

4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離，其特征在于，還包括形成于第一應力絕緣層與第一填充之間的第三應力絕緣層，其中第三應力絕緣層具有張應力。

5.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離，其特征在于，所述第一應力絕緣層包括壓應力氮化物、壓應力氧化物或他們的疊層。

6.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離，其特征在于，所述第一應力絕緣層包括第一溝槽內壁上的氧化物薄層及所述氧化物薄層上的壓應力氮化物層。

7.一種淺溝槽隔離的形成方法，所述方法包括：

A.提供襯底，所述襯底具有第一區域和第二區域；

B.在所述第一區域的襯底內形成第一溝槽，以及在所述第二區域的襯底內形成第二溝槽；

C.在所述第一溝槽內壁上形成第一應力絕緣層，以及在所述第二溝槽內壁上形成第二應力絕緣層，其中，第一應力絕緣層具有與第二應力絕緣層不同的應力絕緣材料；

D.在所述第一應力絕緣層上形成第一填充層，以及在所述第二應力絕緣層上形成第二填充層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一區域為PMOS區域，所述第二區域為NMOS區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一應力絕緣層具有壓應力，所述第二應力絕緣層具有張應力。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟C包括：

在所述第一溝槽內壁及第二溝槽內壁上形成第一應力絕緣層；

去除所述第二溝槽內壁上的第一應力絕緣層；

在所述第二溝槽內壁上形成第二應力絕緣層。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟C包括：

在所述第一溝槽內壁及第二溝槽內壁上依次形成氧化物薄層和壓應力氮化物層；

去除第二溝槽內壁上的氧化物薄層和壓應力氮化物層；

在所述第二溝槽以及壓應力氮化物層上形成張應力氮化物層。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一應力絕緣層包括壓應力氮化物、壓應力氧化物或他們的疊層。