[發(fā)明專利]一種半導體納米晶/量子點在晶硅材料上的沉積生長方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110047486.0
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN102184979A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設計）人: 余錫賓;王飛久;杜夢娟;張坤;浦旭鑫
• 申請（專利權）人: 上海師范大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 31227
• 代理人: 張美娟

1.一種量子點的硅晶材料，其特征在于：由下列重量比物質組成：

硫、硒、硫化物或硒化物?1-100份；

金屬鹽??1-100份；

溶劑??100-500份；

偶聯(lián)劑??1-10份；

晶硅材料：硅片(硅電池片)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種量子點的硅晶材料，其特征在于：所述的硫化物為硫化鈉、硫化銨、硫代乙酰胺、硫脲和硫代硫酸鹽中的一種。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種量子點的硅晶材料，其特征在于：所述的硒化物為正硒化物、多硒化合物和酸式硒化物中的一種。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種量子點的硅晶材料，其特征在于：所述的金屬鹽為鉛、鉍、銻、鎘、銀、錫、鋅和銅的金屬氯化物、醋酸鹽和硝酸鹽中的一種。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種量子點的硅晶材料，其特征在于：所述的溶劑為水或有機溶劑，其中，有機溶劑為醇類、烷類、烯類，油胺和油酸中的一種。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種量子點的硅晶材料，其特征在于：所述的硅晶材料為單晶硅、多晶硅與非晶硅中的一種。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種量子點的硅晶材料，其特征在于：所述的偶聯(lián)劑為陰離子表面活性劑，陽離子表面活性劑，兩性表面活性劑，硅烷偶聯(lián)劑?或鈦烷偶聯(lián)劑等。

8.一種半導體納米晶/量子點在晶硅材料上的沉積生長方法，其特征在于：其具體步驟如下：

a)預先制成半導體納米晶或量子點，并將其分散在有機溶劑中；

b)在上述體系中加入適量的偶聯(lián)劑；

c)將處理后的硅晶材料放入上述量子點分散在水或有機溶劑中，超聲5min～120min，取出，100～400℃真空處理1～10h；

d)將處理后的硅晶材料放入上述量子點分散的有機溶劑中以1～10cm/s提拉，重復1～30次，在100～400℃真空處理1～10h，使得硫化物或硒化物量子點連接到晶硅材料上，并除去揮發(fā)性物質，獲得量子點敏化的硅晶材料及量子點敏化的硅基太陽能電池片；

e)以擴散好的晶硅材料為基底，使用旋涂法，滴加好量子點；以1000～8000轉/分鐘的旋涂速度，每次設為旋涂一個周期；共旋涂1～50周期；

f)以擴散好或制絨后的硅晶材料為基底，使用滴涂法，滴加量子點，每次設為滴涂一個周期。共滴涂1～10周期。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體納米晶/量子點在晶硅材料上的沉積生長方法，其特征在于：所制備的半導體納米晶或量子點為2～100納米。

10.根據(jù)權利要求8所述的半導體納米晶/量子點在晶硅材料上的沉積生長方法，其特征在于：所制備的量子點層厚度為5～500納米。?