[發明專利]薄膜形成用氣相沉積材、具備該薄膜的薄膜片材和層壓片材

無效

• 申請號: 201110045986.0
• 申請日: 2011-02-23
• 公開（公告）號: CN102191461A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 黛良享;有泉久美子;黑光祥郎
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;B32B9/04
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種氣相沉積材，為混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的氣相沉積材，其特征在于，

所述第一氧化物粉末為SiO粉末，所述第一氧化物粉末的第一氧化物純度為98％以上，

所述第二氧化物粉末為選自ZnO、MgO和CaO中的一種粉末或兩種以上的混合粉末，所述第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98％以上，

所述氣相沉積材由含有所述第一氧化物粒子和所述第二氧化物粒子的顆粒構成，

所述氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5～85∶95～15，且所述顆粒的堿度為0.1以上。

2.根據權利要求1所述的氣相沉積材，所述第一氧化物粒子的平均粒徑為0.1～10μm，且所述第二氧化物粒子的平均粒徑為0.1～10μm。

3.一種膜的制造方法，其特征在于，通過將權利要求1或2所述的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金屬元素A和所述第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜。

4.一種薄膜片材，通過將權利要求1或2所述的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金屬元素A和所述第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜，

所述薄膜中的所述金屬元素A與所述金屬元素B的摩爾比為5～85∶95～15。

5.根據權利要求4所述的薄膜片材，所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體沉積法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。

6.根據權利要求4或5所述的薄膜片材，在溫度20℃、相對濕度50％RH的條件下放置1小時時的水蒸氣透過率S為0.3g/m²·天以下。

7.根據權利要求6所述的薄膜片材，在溫度20℃、相對濕度50％RH的條件下放置1小時后，在溫度85℃、相對濕度90％RH的條件下進一步放置100小時時的的水蒸氣透過率設為T時，所述水蒸氣透過率T相對于所述水蒸氣透過率S的變化率T/S×100為200％以下。

8.一種層壓片材，在權利要求4～7中的任意一項所述的薄膜片材的薄膜形成側通過粘接層層壓第二基材薄膜而成。