[發(fā)明專利]一種獨(dú)立于電源模塊的芯片級閂鎖現(xiàn)象過流保護(hù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110045697.0 | 申請日: | 2011-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN102651543A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 岳超;盛敬剛;姚金科;范明浩;霍俊杰;丁義民;宋翌 | 申請(專利權(quán))人: | 北京同方微電子有限公司 |
| 主分類號: | H02H3/08 | 分類號: | H02H3/08;H02H3/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100083 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 立于 電源模塊 芯片級 現(xiàn)象 保護(hù) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
?本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,特別是獨(dú)立于電源模塊的芯片級閂鎖現(xiàn)象(Latch-up)過流保護(hù)電路。
背景技術(shù)
由于制造上的困難,最初幾代MOS?工藝僅提供NMOS器件。實際上,許多早期的微處理器和模擬電路都是采用NMOS工藝制造的,但是它們的功耗相當(dāng)大。盡管CMOS器件需要大量的掩模板和制造工序,CMOS邏輯的零靜態(tài)功耗仍促使了CMOS技術(shù)時代的到來。然而,在CMOS電路中會產(chǎn)生一個嚴(yán)重的問題,就是閂鎖現(xiàn)象。
閂鎖現(xiàn)象是指在CMOS工藝中,寄生的pnp和npn雙極性晶體管形成一個正反饋環(huán)路,在芯片加電過程中當(dāng)瞬時大電流流過襯底,或者當(dāng)加載的外部電壓超過了正常的工作電壓范圍時,寄生二極管完全導(dǎo)通,具有很低的等效電阻,從電源線抽取很大的電流。由于正反饋的存在,如果不能及時的消除閂鎖現(xiàn)象,持續(xù)的大電流會燒壞整個芯片。防止閂鎖效應(yīng)可以從工藝和電路設(shè)計兩個方面考慮:對于代工廠可以適當(dāng)?shù)倪x擇雜質(zhì)濃度和分布以及版圖設(shè)計規(guī)則來保證寄生電阻和雙極晶體管的電流增益值都很小;對于電路設(shè)計者可以在版圖中加入保護(hù)環(huán)(guard?ring)來使接觸電阻最小。但是,對于芯片設(shè)計公司在選定一種工藝后沒有辦法改變代工廠生產(chǎn)情況,而且為了節(jié)省面積成本,很多的設(shè)計公司不能保證芯片版圖的充分接地。這樣,設(shè)計一款獨(dú)立于集成電路制造工藝的閂鎖現(xiàn)象過流保護(hù)電路是非常有必要的。
????現(xiàn)有技術(shù)中,有不少防止閂鎖現(xiàn)象的方法。例如,美國專利US5,212,616提出的使用一個電源檢測電路實時的采樣電源調(diào)節(jié)電路的輸出MOS管,當(dāng)發(fā)生閂鎖現(xiàn)象時,電源檢測電路發(fā)出控制信號,關(guān)斷電源調(diào)節(jié)電路的輸出MOS管,使閂鎖現(xiàn)象解除。這種方法的不足是檢測電路做在電源調(diào)節(jié)電路的內(nèi)部,和電源調(diào)節(jié)電路采用的結(jié)構(gòu)有直接關(guān)系,通用性不強(qiáng),且對于使用第三方電源硬核的設(shè)計者是不可能實現(xiàn)的。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明的目的是提供一種獨(dú)立于電源模塊的芯片級閂鎖現(xiàn)象過流保護(hù)電路。它可以方便的用在獨(dú)立于電源模塊的芯片上,使電路更加安全可靠,本具有通用性強(qiáng)、功耗低的特點(diǎn)。
為了達(dá)到上述發(fā)明目的,本發(fā)明的技術(shù)方案以如下方式實現(xiàn):
一種獨(dú)立于電源模塊的芯片級閂鎖現(xiàn)象過流保護(hù)電路,其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是,它包括:
一個大電流開關(guān)模塊,用以控制輸入芯片的總電流;
一個等比例電流檢測模塊,用以按照設(shè)計的比例檢測流入芯片電流的大小;
一個判決模塊,用以根據(jù)等比例電流模塊送入電流大小控制大電流開關(guān)模塊的通斷;
一個自啟動模塊,用以在電路最開始上電以及閂鎖現(xiàn)象解除后重新打開大電流開關(guān)模塊,并為芯片正常供電;
電源PAD經(jīng)大電流開關(guān)模塊連接到芯片電源管理模塊到核心電路,電源PAD另依次經(jīng)等比例電流檢測模塊、判決模塊和自啟動模塊連接到大電流開關(guān)模塊,芯片電源管理模塊與自啟動模塊相連接。
在上述過流保護(hù)電路中,所述大電流開關(guān)模塊為PMOS的大電流開關(guān)管,大電流開關(guān)管的源極與電源PAD相連接,大電流開關(guān)管的漏極接芯片電源管理模塊的輸入。
在上述過流保護(hù)電路中,所述等比例電流檢測模塊包含:
一個小電流開關(guān),采用PMOS管用來檢測大電流的等比例;
一個接成負(fù)反饋形式的運(yùn)算放大器,用來保證大電流開關(guān)管與小電流開關(guān)的漏極電位相同;
一個用來調(diào)整反饋電壓的PMOS晶體管;
所述運(yùn)算放大器的正輸入端接大電流開關(guān)管的漏極,運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端接小電流開關(guān)的漏極,運(yùn)算放大器的輸出端接晶體管的柵極,小電流開關(guān)的源極接電源PAD,晶體管的源極接回運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端,晶體管的漏極輸出等比例輸出電流到判決模塊。
在上述過流保護(hù)電路中,所述判決模塊包括:
一個電阻,與晶體管的漏極相接用來將等比例輸出電流轉(zhuǎn)化為電壓;
一個比較器,正輸入端與晶體管的漏極相接,負(fù)輸入端接參考電壓,用來判定輸出電流是否超過設(shè)定閾值。
在上述過流保護(hù)電路中,所述自啟動電路包括:依次相連的一個低電壓到高電壓的轉(zhuǎn)化電路,一個延時電路,一個與門邏輯;與門邏輯的另一個輸入端接判決模塊中比較器的輸出,與門邏輯的輸出接大電流開關(guān)管的柵極,用以控制大電流開關(guān)管的通斷。
本發(fā)明由于采用了上述結(jié)構(gòu),對閂鎖現(xiàn)象的檢測以及解除均獨(dú)立于電源模塊,具有很強(qiáng)的通用性,可以保證在使用第三方提供的電源硬核時,整個電路可以有效的檢測并解除閂鎖現(xiàn)象,并能在解除閂鎖現(xiàn)象后自動重啟芯片電源,保證芯片正常工作。
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