[發(fā)明專利]針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110045023.0
• 申請(qǐng)日: 2011-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN102136458A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王秉杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中穎電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00;H01L23/528;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，包括有效電路和設(shè)置于有效電路上方的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接合焊盤結(jié)構(gòu)包括：

第一電介質(zhì)層及位于其下的第二電介質(zhì)層；

接合焊盤，設(shè)置于所述第一電介質(zhì)層上；

鈍化層，設(shè)置于所述第一電介質(zhì)層之上并覆蓋于所述接合焊盤外圍，以在所述接合焊盤上方形成開口區(qū)；

第一金屬襯墊，位于所述第二電介質(zhì)層中，且位于所述開口區(qū)正下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的外圍，所述第一金屬襯墊與所述接合焊盤通過第一導(dǎo)電通孔電性相連，其中所述第一導(dǎo)電通孔形成于所述第一電介質(zhì)層中。

2.如權(quán)利要求1所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電介質(zhì)層中的位于所述開口區(qū)正下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃、磷硅玻璃或其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電通孔與所述接合焊盤為一體成型。

4.如權(quán)利要求1所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接合焊盤的材質(zhì)為鎢、鋁、銅或其組合。

5.如權(quán)利要求1所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬襯墊的材質(zhì)為鎳、鈷、鋁、銅或其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接合焊盤結(jié)構(gòu)還包括第三電介質(zhì)層和第二金屬襯墊，所述第二金屬襯墊位于所述第三電介質(zhì)層中，且位于所述開口區(qū)正下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的外圍，所述第二金屬襯墊與所述第一金屬襯墊通過第二導(dǎo)電通孔電性相連，其中所述第二導(dǎo)電通孔形成于所述第二電介質(zhì)層中。

7.如權(quán)利要求6所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三電介質(zhì)層中的位于所述開口區(qū)正下方對(duì)應(yīng)區(qū)域的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃、磷硅玻璃或其組合。

8.如權(quán)利要求6所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電通孔與所述第一金屬襯墊為一體成型。

9.如權(quán)利要求6所述的針對(duì)BOAC構(gòu)架的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬襯墊的材質(zhì)為鎳、鈷、鋁、銅或其組合。