[發明專利]光傳感器、光傳感器制造方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201110044152.8
• 申請日: 2011-02-21
• 公開（公告）號: CN102386250A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 李源規;吳在煥;陳圣鉉;張榮真;崔宰凡
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L31/0376
• 分類號: H01L31/0376;H01L31/04;H01L25/16
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種光傳感器，包括：

基板；

受光部，形成于所述基板上，含有非晶半導體物質；

第一鄰接部以及第二鄰接部，與所述受光部形成為一體，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部由所述受光部相互隔離；

光傳感器第一電極，與所述第一鄰接部電連接；以及

光傳感器第二電極，與所述第二鄰接部電連接，

其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個含有結晶半導體物質。

2.根據權利要求1所述的光傳感器，其中，

所述受光部含有非晶硅。

3.根據權利要求1所述的光傳感器，其中，

所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一鄰接部面向所述基板的面的反面、以及所述第二鄰接部面向所述基板的面的反面處于同一平面上。

4.根據權利要求1所述的光傳感器，其中，

所述第一鄰接部以及第二鄰接部含有晶化硅，

所述第一鄰接部摻雜有P型雜質，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質。

5.根據權利要求1所述的光傳感器，其中，

所述第一鄰接部含有晶化硅，所述第二鄰接部含有非晶硅。

6.根據權利要求5所述的光傳感器，其中，

所述第一鄰接部摻雜有P型雜質，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質。

7.根據權利要求5所述的光傳感器，其中，

所述第一鄰接部摻雜有N型雜質，所述第二鄰接部摻雜有P型雜質。

8.一種光傳感器的制造方法，包括：

在基板上形成受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部，其中，受光部含有非晶半導體物質，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部與所述受光部成為一體并由所述受光部相互隔離；以及

形成與所述第一鄰接部電連接的光傳感器第一電極以及與所述第二鄰接部電連接的光傳感器第二電極，

其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個含有結晶化半導體物質。

9.根據權利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中所述形成受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部的步驟，包括：

在所述基板上形成非晶半導體物質層；以及

所述半導體物質層中選擇性地結晶化至少一個區域，其中所述區域對應于所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個。

10.根據權利要求9所述的光傳感器的制造方法，其中，

進行所述結晶化步驟后，進行一次構圖工序以形成所述受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部。

11.根據權利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中，

所述受光部含有非晶硅。

12.根據權利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中，

所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一鄰接部面向所述基板的面的反面以及所述第二鄰接部面向所述基板的面的反面被形成為處于同一平面上。

13.根據權利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中，

所述第一鄰接部以及第二鄰接部含有晶化硅，

所述第一鄰接部摻雜有P型雜質，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質。

14.根據權利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中，

所述半導體物質層含有硅，

形成所述受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部的步驟，包括：

在所述基板上形成半導體物質層；以及

在所述半導體物質層的區域中，選擇性地結晶化所述第一鄰接部的區域。

15.根據權利要求14所述的光傳感器的制造方法，其中，

所述第一鄰接部摻雜有P型雜質，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質。

16.根據權利要求14所述的光傳感器的制造方法，其中，

所述第一鄰接部摻雜有N型雜質，所述第二鄰接部摻雜有P型雜質。