[發明專利]黃銅礦膜的制造方法

無效

• 申請號: 201110044097.2
• 申請日: 2011-02-21
• 公開（公告）號: CN102163632A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 柳沼希世史;峯元高志;堤圭司
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社;學校法人立命館
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L21/324
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 菅興成;吳小瑛

1.一種黃銅礦膜的制造方法，通過加熱處理使Ib族金屬和IIIb族金屬與VIb族元素進行化合，從而在形成于基板上的下部電極上，制造由Ib-IIIb-VIb族化合物構成的黃銅礦膜的方法，其特征在于，

在將前述Ib族金屬、IIIb族金屬以及VIb族元素配置在蓋體和形成于前述基板上的下部電極之間的狀態下，在非活性氣體環境中進行加熱處理。

2.如權利要求1所述的黃銅礦膜制造方法，其中，預先在前述下部電極上形成含有前述Ib族金屬以及IIIb族金屬的前驅膜，在該前驅膜上沉積前述VIb族元素，在沉積有該VIb族元素的前述前驅膜上設置前述蓋體，然后進行前述加熱處理。

3.如權利要求1所述的黃銅礦膜制造方法，其中，在前述下部電極上，形成含有前述Ib族金屬和IIIb族金屬并且還具有前述VIb族元素的前驅膜，在該前驅膜上設置前述蓋體，然后進行前述加熱處理。

4.如權利要求1所述的黃銅礦膜制造方法，其中，預先在前述下部電極上形成含有前述Ib族金屬以及IIIb族金屬的前驅膜，在前述蓋體的一側表面上沉積前述VIb族元素，并以該沉積的VIb族元素與前述前驅膜相對置的方式，在該前驅膜上設置該蓋體，然后進行前述加熱處理。

5.如權利要求1～4中任一項所述的黃銅礦膜制造方法，其中，作為含有前述VIb族元素或者沉積前述VIb族元素的方法，選自濺射法、蒸鍍法、鍍覆法、電沉積法、涂布法以及噴霧法中。

6.如權利要求1～4中任一項所述的黃銅礦膜制造方法，其中，將前述VIb族元素的量設定為使VIb族元素的摩爾數相對于前述Ib族金屬的摩爾數以及IIIb族金屬的摩爾數之和達到1.05～1.15的量。

7.如權利要求1～4中任一項所述的黃銅礦膜制造方法，其中，作為前述Ib族金屬使用選自Cu和Ag中的至少一種，作為前述IIIb族金屬使用選自In、Ga和Al中的至少一種，以及作為前述VIb族元素使用選自Se、S和Te中的至少一種。