[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201110043999.4
• 申請日: 2007-04-28
• 公開（公告）號: CN102176427A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 丸山純矢;神保安弘;小路博信;桑原秀明;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/77;H01L51/00;H01L51/56;H01L23/64;H01L23/66;G06K19/077
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王以平

1.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上形成鉬膜；

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；

在所述氧化鉬膜上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成具有非晶結構的半導體膜；

從所述襯底分離所述絕緣膜及所述具有非晶結構的半導體膜；以及

在所述分離之后，將所述絕緣膜及所述具有非晶結構的半導體膜配置到柔性襯底上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述鉬膜形成為與所述襯底接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述氧化鉬膜形成為與所述鉬膜接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述分離之前，部分地進行激光照射。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述襯底選自包括玻璃襯底、陶瓷襯底和石英襯底的組。

6.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上形成鉬膜；

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；

在所述氧化鉬膜上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成包含有機化合物的半導體膜；

從所述襯底分離所述絕緣膜及所述包含有機化合物的半導體膜；以及

在所述分離之后，將所述絕緣膜及所述包含有機化合物的半導體膜配置到柔性襯底上。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述鉬膜形成為與所述襯底接觸。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述氧化鉬膜形成為與所述鉬膜接觸。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述分離之前，部分地進行激光照射。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述襯底選自包括玻璃襯底、陶瓷襯底和石英襯底的組。

11.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上形成鉬膜；

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；

在所述氧化鉬膜上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成第一電極；

在所述第一電極上形成發光層；

在所述發光層上形成第二電極；

從所述襯底分離所述絕緣膜、所述第一電極、所述發光層及所述第二電極；以及

在所述分離之后，將所述絕緣膜、所述第一電極、所述發光層及所述第二電極配置到柔性襯底上。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述鉬膜形成為與所述襯底接觸。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述氧化鉬膜形成為與所述鉬膜接觸。

14.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述分離之前，部分地進行激光照射。

15.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述襯底選自包括玻璃襯底、陶瓷襯底和石英襯底的組。

16.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述發光層包含有機化合物或無機化合物。