[發明專利]交點自對準的可編程存儲裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 201110043837.0
• 申請日: 2011-02-22
• 公開（公告）號: CN102446547A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 龍翔瀾;賴二琨
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種可編程存儲裝置，其特征在于，包括：

具有包括一周邊區域與一存儲陣列區域的一表面的一半導體襯底本體；

在該存儲陣列區域的一可編程存儲陣列以及在該周邊區域的該襯底表面的一邏輯裝置層；

該存儲陣列包括：形成在該襯底本體的多個存取裝置以及形成在該襯底表面的多個可編程存儲元件，其中這些存取裝置與這些存儲元件是在多個位線與多個字線的多個交點處對準，以及這些位線是與這些可編程存儲元件與這些存取裝置自對準。

2.根據權利要求1所述的可編程存儲裝置，其特征在于，這些字線是與這些可編程存儲元件與這些存取裝置自對準。

3.根據權利要求1所述的可編程存儲裝置，其特征在于，在該存儲陣列內的多個存儲單元具有等于4D²的一面積，D是關于字線寬度與字線之間的分隔距離的總和的二分之一。

4.根據權利要求1所述的可編程存儲裝置，其特征在于，在該存儲陣列內的多個存儲單元具有等于4D²的一面積，D是關于使用于制造這些存儲單元的一光刻工藝的名義特征尺寸。

5.一種制作一可編程存儲陣列的方法，其特征在于，包括：

提供具有覆蓋一存儲陣列區域與一周邊區域的一表面的一半導體襯底；

沉積在該襯底表面上的一柵氧化層和一柵層；

使用一共同掩模在該存儲陣列區域與該周邊區域兩者上形成平行于一第一方向的多個第一溝道絕緣結構；

移除該共同掩模并形成在該柵層與該第一溝道絕緣結構上的一氮化硅層；

形成平行于垂直該第一方向的一第二方向的多個第二溝道；

形成在該存儲陣列區域上的一介電填充；

在該周邊區域使用一邏輯掩模圖案化該周邊柵氧化層與柵層以形成多個邏輯柵；

在該周邊區域執行一裝置注入以形成源極與漏極區域；

形成在該存儲陣列區域與該周邊區域上的一介電填充并平坦化該介電填充；

移除該氮化硅層與該柵層與在該存儲陣列上的該柵氧化層以形成多個字線溝道；

形成在該存儲陣列區域內的該第一與第二溝道絕緣結構上的多個間隙物以形成孔隙；以及

在該字線溝道內形成至少一存儲單元或者字線。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括一或者更多：

在形成該第二溝道后，形成一第一存儲陣列硅化物；

先于形成在該存儲陣列區域與該周邊區域上的該介電填充前，形成一周邊區域硅化物；

先于形成在該存儲陣列區域內的這些間隙物前，形成一第二存儲硅化物。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括在下列一或者更多階段形成存儲存取裝置注入：

先于沉積在該襯底表面上的該柵氧化層前，

在形成該第二溝道后，或者

先于形成在該存儲陣列區域內的這些間隙物前。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括在下列一或者更多階段形成覆蓋該周邊區域的該襯底的周邊裝置注入：

先于沉積在該襯底表面上的該柵氧化層前，或者

在形成該邏輯柵后。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成這些第二溝道包括形成在該氮化硅層上的一掩模以及，使用該掩模，刻蝕以形成該第二溝道。

10.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成這些存儲單元包括：

沉積在該字線溝道內的一可編程存儲材料，以及

形成在該可編程存儲材料上的一頂部電極。

11.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成這些存儲單元包括：

沉積在該字線溝道內的一底部電極材料，

沉積在該底部電極材料上的一可編程存儲材料，以及形成在該可編程存儲材料上的一頂部電極。

12.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成這些存儲單元包括：

形成在該存儲陣列區域與該周邊區域上的一掩模，該掩模經圖案化以形成字線溝道；以及

沉積在該字線溝道內的一可編程存儲材料與一頂部電極。

13.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括：

在形成存儲單元后，形成在該存儲陣列區域與該周邊區域上的一鈍化層；以及

形成穿過該鈍化層至該存儲陣列區域內的頂部電極與至該周邊區域內的源極/漏極區域的多個接觸。