[發明專利]晶硅太陽能電池的制造方法

無效

• 申請號: 201110043670.8
• 申請日: 2011-02-23
• 公開（公告）號: CN102651406A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 陳威有;柳彥志;李濟群
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L21/311
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶硅太陽能電池的制造方法，包括：基材粗化步驟，用以將硅基材表面粗糙化；接面區塊成型步驟，用以于粗糙化的硅基材表面形成多個相間隔的接面區塊；及對位網印步驟；其特征在于，該制造方法還包括在該接面區塊成型步驟后以及該對位網印步驟前的電極線路區域平坦化步驟，用以將未被所述接面區塊覆蓋的硅基材表面平坦化以提供較該粗糙化的硅基材表面高的反射辨識度，而該對位網印步驟通過反射辨識度高的平坦化的硅基材表面做網印電極前的對位，并在對位后將導電材料網印于該平坦化的硅基材表面。

2.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，于該對位網印步驟前，先對該平坦化的硅基材進行選擇性摻雜以形成選擇性射極。

3.根據權利要求2所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，于形成選擇性射極后，再將所述接面區塊蝕刻移除。

4.根據權利要求2所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，實施該對位網印步驟時，用預定波長范圍的光照射該硅基材而使該平坦化的硅基材表面相對于該粗糙化的硅基材表面形成高反射辨識度，進而取得高對比性的圖形而使該粗糙化的硅基材表面與該平坦化的硅基材表面間的邊緣清楚顯現。

5.根據權利要求2所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，該電極線路區域平坦化步驟以濕式蝕刻制程進行。

6.根據權利要求5所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，該電極線路區域平坦化步驟所使用的蝕刻溶液選自氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液或上述溶液的組合。

7.根據權利要求6所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述接面區塊的材質選自于二氧化硅與氮化硅所組成的群組。

8.根據權利要求2所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，該電極線路區域平坦化步驟以激光熔融制程進行。

9.根據權利要求8所述的晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述接面區塊的材質選自于二氧化硅與氮化硅所組成的群組。