[發明專利]一種多孔氮化鎵襯底的處理方法及氮化鎵膜的生長方法有效
| 申請號： | 201110043595.5 | 申請日： | 2011-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN102644119A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發明（設計）人： | 王新中;王瑞春;謝華;何國榮;劉德新;杜軍;高潮 | 申請（專利權）人： | 深圳信息職業技術學院 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;C30B25/20 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多孔 氮化 襯底 處理 方法 生長 | ||
1.一種多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述方法包括對經刻蝕的多孔氮化鎵襯底在800-1000℃下進行氨氛圍退火。
2.如權利要求1所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述氨氛圍退火溫度為900-1000℃。
3.如權利要求1所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述退火時間為1～60min。
4.如權利要求1所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述退火時間為3～30min。
5.如權利要求1所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述多孔氮化鎵襯底孔徑的徑度為10～200nm。
6.如權利要求1所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述多孔氮化鎵襯底的制備包括下述步驟：
制備氮化鎵模板；
在所述氮化鎵模板上形成一層鋁層；
對鋁層進行電化學腐蝕，形成多孔陽極氧化鋁；
對帶有多孔氧化鋁的氮化鎵模板進行刻蝕，得到多孔氮化鎵襯底。
7.如權利要求6所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述氮化鎵模板是通過在異質外延襯底上生長n型氮化鎵外延層形成的，所述異質外延襯底為藍寶石、碳化硅、硅或者砷化鎵中的任意一種。
8.如權利要求6所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述刻蝕為干法刻蝕。
9.如權利要求7所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法，其特征在于，所述n型氮化鎵外延層的厚度為0.1～500μm。
10.一種氮化鎵膜的生長方法，其特征在于，包括如下步驟：
按權利要求1-9任一項所述的多孔氮化鎵襯底的處理方法獲得處理后的多孔氮化鎵襯底；
在處理后的多孔氮化鎵襯底上生長氮化鎵膜。
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