[發明專利]高壓晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201110043237.4
• 申請日: 2011-02-23
• 公開（公告）號: CN102651318A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 金宥憲;徐志嘉;黃胤富
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/266
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種高壓晶體管的制造方法，包括：

提供一襯底；

提供一P型外延層(P-type?epitaxial?layer，P-epi?layer)于該襯底上；

形成一N型阱(N-Well)于該P型外延層內；

形成一P型阱(P-Well)于該P型外延層內；

形成多個場氧化層(Field?oxide?layer，FOX?layer)于該P型外延層之上；

形成一柵極氧化層(Gate?oxide?layer，GOX?layer)于該多個場氧化層之間；

注入P型雜質(P-type?implant)于該P型阱中，以調整該高壓晶體管的電性功能。

2.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，其中該注入P型雜質于該P型阱的步驟是執行于形成該多個場氧化層的步驟之后。

3.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，其中該注入P型雜質于該P型阱的步驟是執行于形成該柵極氧化層的步驟之后。

4.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，其中注入P型雜質于該P型阱的步驟與形成該P型阱的步驟采用同一掩模。

5.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，在提供該P型外延層的步驟之前，該制造方法更包括：

形成一N型埋藏層(N-buried?layer，NBL)于該襯底的表面，該N型埋藏層位于該P型阱預設的位置。

6.根據權利要求5所述的高壓晶體管的制造方法，其中在形成該N型埋藏層的步驟之后，該制造方法更包括：

形成一P型底層(P-CO?layer)于該襯底的表面及該N型埋藏層之上。

7.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，其中形成該多個場氧化層的步驟前，該制造方法更包括：

形成多個P型場層(P-field?layer)于該多個場氧化層預定形成的位置。

8.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，更包括：

形成一第一N型摻雜區(N+region)于該N型阱內；

形成一第二N型摻雜區于該P型阱內；以及

形成一第一P型摻雜區(P+region)于該P型阱內，該第二N型摻雜區位于該第一N型摻雜區及該第一P型摻雜區之間。

9.根據權利要求1所述的高壓晶體管的制造方法，更包括：

形成一第二P型摻雜區于該P型阱內；

形成一第三P型摻雜區于該N型阱內；以及

形成一第三N型摻雜區于該N型阱內，該第三P型摻雜區位于該第二P型摻雜區及該第三N型摻雜區之間。

10.一種高壓晶體管的制造方法，包括：

提供一襯底；

提供一P型外延層(P-epi?layer)于該襯底上；

形成一N型阱(N-Well)于該P型外延層內；

形成一P型阱(P-Well)于該P型外延層內；

形成多個場氧化層(FOX?layer)于該P型外延層之上；

形成一柵極氧化層(GOX?layer)于該多個場氧化層之間；

注入N型雜質(N-type?implant)于該N型阱中，以調整該高壓晶體管的電性功能。