[發明專利]透明導電性薄膜的制造方法無效
| 申請號： | 201110043080.5 | 申請日： | 2008-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN102097160A | 公開（公告）日： | 2011-06-15 |
| 發明（設計）人： | 梨木智剛;菅原英男 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B15/08;G06F3/041 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李貴亮 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明 導電性 薄膜 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種透明導電性薄膜的制造方法，其中透明導電性薄膜是在透明的薄膜基材的單面或兩面上，經由至少一層底涂層地具有透明導電體層，并且所述透明導電體層被圖案化，且在不具有所述透明導電體層的非圖案部具有所述至少一層底涂層的透明導電性薄膜，所述透明導電性薄膜的制造方法的特征在于，
在透明的薄膜基材的單面或兩面上，形成至少一層底涂層的工序；
在所述底涂層上利用濺射法形成透明導電體層的工序；
將所述透明導電體層蝕刻并圖案化的工序；以及
將已被圖案化的所述透明導電體層退火處理并使其結晶化的工序。
2.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，
從透明的薄膜基材開始第一層的底涂層由有機物形成。
3.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，
底涂層至少具有兩層，至少離透明的薄膜基材最遠的底涂層由無機物形成。
4.根據權利要求3所述的透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，
由無機物形成的底涂層為SiO2膜。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，
透明導電體層的折射率與底涂層的折射率的差為0.1以上。
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