[發(fā)明專利]光電池基板和包括此光電池基板的光電池無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110042810.X | 申請(qǐng)日： | 2011-02-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102194902A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柳濟(jì)春;劉泳祚;金序炫;金鎮(zhèn)奭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星康寧精密素材株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0392 | 分類號(hào)： | H01L31/0392;H01G9/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址： | 韓國(guó)慶*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電池 包括 | ||
1.一種光電池基板，包括：
透明基板；和
摻雜有摻雜劑的氧化鋅薄膜層，其中所述氧化鋅薄膜層形成在所述透明基板上，且根據(jù)X射線衍射(XRD)數(shù)據(jù)，具有(0002)晶體平面和占所述(0002)晶體平面的3％或更高的晶體平面。
2.如權(quán)利要求1所述的光電池基板，其中所述氧化鋅薄膜層包含0.1wt％至15wt％的加入到氧化鋅中的添加劑，且具有450nm至900nm的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的光電池基板，其中加入到氧化鋅中的所述摻雜劑為選自Al、Ga、In、Ti和B中的一種，或其中的兩種或更多種。
4.如權(quán)利要求1所述的光電池基板，進(jìn)一步包括形成在所述透明基板和所述氧化鋅薄膜層之間的防雜質(zhì)材料洗脫膜，所述防雜質(zhì)材料洗脫膜防止雜質(zhì)材料從所述透明基板內(nèi)部洗脫。
5.如權(quán)利要求4所述的光電池基板，其中所述防雜質(zhì)材料洗脫膜由二氧化硅(SiO2)或二氧化鈦(TiO2)制成。
6.一種光電池，包括光電池基板，其中所述光電池基板包括：
透明基板；和
摻雜有摻雜劑的氧化鋅薄膜層，其中所述氧化鋅薄膜層形成在所述透明基板上，且根據(jù)X射線衍射(XRD)數(shù)據(jù)，具有(0002)晶體平面和占所述(0002)晶體平面的3％或更高的晶體平面。
7.如權(quán)利要求6所述的光電池，包括選自串疊型光電池、化合物光電池和染料敏化光電池中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
