[發(fā)明專利]用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110042368.0 | 申請日： | 2011-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN102162099A | 公開（公告）日： | 2011-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐圣述;高誠庸;蔡允淑;蔡煥國;金起鉉;李元默 | 申請（專利權(quán)）人： | 顯示器生產(chǎn)服務(wù)株式會社 |
| 主分類號： | C23F4/00 | 分類號： | C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京華夏博通專利事務(wù)所 11264 | 代理人： | 劉俊 |
| 地址： | 韓國京畿道水原市*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 蝕刻 輪廓 控制 氣體 注入 系統(tǒng) | ||
1.一種用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，包括：
上部氣體注入器，從隔室上部供給反應(yīng)氣體；以及
側(cè)部氣體注入器，放射狀地形成多個噴射口，從而沿著上述隔室的內(nèi)周面從多個位置同時噴射調(diào)節(jié)氣體，在上述噴射口的端部上分別連接設(shè)置有導(dǎo)管，上述導(dǎo)管使上述調(diào)節(jié)氣體近距離噴射到加載在上述隔室內(nèi)側(cè)的晶圓的邊緣部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述導(dǎo)管的中央部向下彎折而形成，使上述導(dǎo)管的前端部鄰接位于上述晶圓的邊緣部的上側(cè)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述導(dǎo)管設(shè)置成前端部鄰接于上述晶圓的邊緣部上側(cè)部，并向下傾斜地設(shè)置成上述調(diào)節(jié)氣體在上述晶圓的外側(cè)方向以一定角度噴射到邊緣部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述側(cè)部氣體注入器在外側(cè)部形成氣體流入口，在內(nèi)部形成分配流路，使上述氣體流入口與上述多個噴射口連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述分配流路以與上述側(cè)部氣體注入器形成同心圓的方式，貫通形成于內(nèi)部。
6.一種用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，包括：
上部氣體注入器，從隔室上部供給反應(yīng)氣體；以及
背面氣體注入器，外插設(shè)置在加載晶圓的靜電吸盤的上側(cè)部的外周，在上側(cè)面間隔形成多個噴射口，使調(diào)節(jié)氣體近距離地向上噴射到上述晶圓的邊緣部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述背面氣體注入器在外部形成氣體流入口，在內(nèi)部形成分配流路，使上述氣體流入口與上述多個噴射口連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述背面氣體注入器在下側(cè)面形成氣體流入口，在內(nèi)部形成分配流路，使上述氣體流入口與上述多個噴射口連通，在支撐上述晶圓與背面氣體注入器的靜電吸盤上形成與上述氣體流入口連通的貫通路。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的用于蝕刻輪廓控制的氣體注入系統(tǒng)，其特征在于，上述分配流路以與上述背面氣體注入器形成同心圓的方式，貫通形成于內(nèi)部。
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