[發(fā)明專利]一種應用于低壓差調整器的緩沖器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110042290.2
• 申請日: 2011-02-22
• 公開（公告）號: CN102645950A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設計）人: 梁仁光;胡勝發(fā)
• 申請（專利權）人: 安凱(廣州）微電子技術有限公司
• 主分類號: G05F1/656
• 分類號: G05F1/656
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種應用于低壓差調整器的緩沖器，連接在誤差放大器和PMOS功率管之間，其特征在于，所述緩沖器包括：

PMOS源跟隨器，連接在誤差放大器和PMOS功率管之間，用于輸出負載電流給PMOS功率管；

第一電流鏡，分別接電源端、偏置電壓端和PMOS源跟隨器，用于為所述PMOS源跟隨器提供偏置電流；

第二電流鏡，分別接第一電流鏡和PMOS源跟隨器，用于為所述PMOS源跟隨器提供偏置電流；以及

負反饋電路，用于將PMOS源跟隨器輸出的負載電流負反饋給PMOS源跟隨器，以減少緩沖器的輸出阻抗。

2.如權利要求1所述的應用于低壓差調整器的緩沖器，其特征在于，所述緩沖器還包括：

第三電流鏡，分別接電源端、PMOS源跟隨器和負反饋電路，用于檢測PMOS源跟隨器輸出的負載電流變化，以便第一電流鏡和第二電流鏡根據(jù)所述負載電流變化，調整所述PMOS源跟隨器和負反饋電路的偏置電流。

3.如權利要求2所述的應用于低壓差調整器的緩沖器，其特征在于，所述第一電流鏡為共柵共源級電流鏡，包括PMOS功率管Mp1和PMOS功率管Mp2，所述PMOS功率管Mp1和PMOS功率管Mp2的源極同時接電源端，所述PMOS功率管Mp1和PMOS功率管Mp2的柵極同時接偏置電壓端。

4.如權利要求3所述的應用于低壓差調整器的緩沖器，其特征在于，所述第二電流鏡為共柵共源級電流鏡，包括NMOS功率管Mn1和NMOS功率管Mn2，所述NMOS功率管Mn1和NMOS功率管Mn2的源極同時接地，所述NMOS功率管Mn1的柵極和NMOS功率管Mn2的柵極連接，所述NMOS功率管Mn1的柵極和漏極連接，所述NMOS功率管Mn1的漏極接PMOS功率管Mp1的漏極。

5.如權利要求4所述的應用于低壓差調整器的緩沖器，其特征在于，所述PMOS源跟隨器由PMOS功率管Ms構成，所述PMOS功率管Ms的柵極接所述誤差放大器，所述PMOS功率管Ms的源極接PMOS功率管Mp2的漏極和PMOS功率管，所述PMOS功率管Ms的漏極接NMOS功率管Mn2的漏極。

6.如權利要求5所述的應用于低壓差調整器的緩沖器，其特征在于，所述負反饋電路由NMOS功率管Mn3構成，所述NMOS功率管Mn3的漏極接PMOS功率管Ms的源極，所述NMOS功率管Mn3的源極接地。

7.如權利要求6所述的應用于低壓差調整器的緩沖器，其特征在于，所述第三電流鏡為共柵共源級電流鏡，包括PMOS功率管Mp3和PMOS功率管Mp4，所述PMOS功率管Mp3的柵極和PMOS功率管Mp4的柵極同時接NMOS功率管Mn3的漏極，所述PMOS功率管Mp3和PMOS功率管Mp4的源極同時接電源端，所述PMOS功率管Mp3的漏極接PMOS功率管Mp1的漏極，所述PMOS功率管Mp4的漏極接PMOS功率管Ms的源極。