[發(fā)明專利]發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110042281.3
• 申請(qǐng)日: 2011-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102544284A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王星貿(mào)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括：

基板；

外延結(jié)構(gòu)，位于該基板上，包括：

第一電性半導(dǎo)體層，位于該基板上；

發(fā)光層，位于該第一電性半導(dǎo)體層上；以及

第二電性半導(dǎo)體層，位于該發(fā)光層上；

第一電性電極，與該第一電性半導(dǎo)體層電性連接；

第二電性電極，位于該第二電性半導(dǎo)體層上并與該第二電性半導(dǎo)體層電性連接；以及

電流分布輔助結(jié)構(gòu)，位于該發(fā)光層與該第二電性電極之間，并與至少部分該第二電性半導(dǎo)體層電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一電性半導(dǎo)體層為N型氮化鎵系列材料層，該第二電性半導(dǎo)體層為P型氮化鎵系列材料層。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一電性半導(dǎo)體層為P型氮化鎵系列材料層，該第二電性半導(dǎo)體層為N型氮化鎵系列材料層。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二電性電極包括接觸墊及多個(gè)延伸電極，其中，該多個(gè)延伸電極與該接觸墊電性連接，該多個(gè)延伸電極形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，還包括介電層，該介電層設(shè)于該第二電性電極上，其中，該介電層的折射率小于該第二電性半導(dǎo)體層。

6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)延伸電極的線寬為小于等于2微米。

7.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)延伸電極的間距為2至7微米。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)位于該第二電性半導(dǎo)體層之中并與該第二電性半導(dǎo)體層形成歐姆接觸。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)位于該多個(gè)延伸電極相鄰的兩個(gè)之間。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)與相鄰該多個(gè)延伸電極其中之一者具有水平間隙，該水平間隙的長(zhǎng)度為0至1微米。

11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)的寬度為1至5微米。

12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，還包括反射層，該反射層設(shè)于該電流分布輔助結(jié)構(gòu)的一側(cè)。

13.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)為多個(gè)獨(dú)立結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)為相互連接的整體結(jié)構(gòu)。

15.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)為Ni/Au、Ni/Ag、Ni/Au/Ni或Ni/Ag/Ni。

16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該電流分布輔助結(jié)構(gòu)為透明導(dǎo)電氧化物薄膜。

17.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供基板、第一電性半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二電性半導(dǎo)體層的第一部分，其中該第一電性半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層及N型半導(dǎo)體層之一者、該第二電性半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層及N型半導(dǎo)體層中另一者；

利用光致抗蝕劑定義預(yù)設(shè)的形狀及位置于該第二電性半導(dǎo)體層上；

沉積導(dǎo)電材料層于該第二電性半導(dǎo)體層及該光致抗蝕劑上；

利用剝離法去除該光致抗蝕劑以及位于該光致抗蝕劑上的該導(dǎo)電材料層；

提供第二電性半導(dǎo)體層的第二部分于該導(dǎo)電材料層與該第二電性半導(dǎo)體層的第一部分上；以及

提供第一電性電極與第二電性電極，該第一電性電極與該第一電性半導(dǎo)體層電性連接且該第二電性電極與該第二電性半導(dǎo)體層電性連接，其中，該第二電性電極具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在提供該第一電性電極之前，還包括移除部分的該第二電性半導(dǎo)體層、該發(fā)光層及該第一電性半導(dǎo)體層以曝露出部分的該第一電性半導(dǎo)體層，該第一電性電極形成于該第一電性半導(dǎo)體層上而與該第一電性半導(dǎo)體層電性連接。