[發明專利]發光二極管結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110042281.3
• 申請日: 2011-02-22
• 公開（公告）號: CN102544284A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 王星貿
• 申請（專利權）人: 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種發光二極管結構，包括：

基板；

外延結構，位于該基板上，包括：

第一電性半導體層，位于該基板上；

發光層，位于該第一電性半導體層上；以及

第二電性半導體層，位于該發光層上；

第一電性電極，與該第一電性半導體層電性連接；

第二電性電極，位于該第二電性半導體層上并與該第二電性半導體層電性連接；以及

電流分布輔助結構，位于該發光層與該第二電性電極之間，并與至少部分該第二電性半導體層電性連接。

2.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一電性半導體層為N型氮化鎵系列材料層，該第二電性半導體層為P型氮化鎵系列材料層。

3.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一電性半導體層為P型氮化鎵系列材料層，該第二電性半導體層為N型氮化鎵系列材料層。

4.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第二電性電極包括接觸墊及多個延伸電極，其中，該多個延伸電極與該接觸墊電性連接，該多個延伸電極形成網狀結構。

5.如權利要求4所述的發光二極管結構，還包括介電層，該介電層設于該第二電性電極上，其中，該介電層的折射率小于該第二電性半導體層。

6.如權利要求4所述的發光二極管結構，其中該多個延伸電極的線寬為小于等于2微米。

7.如權利要求4所述的發光二極管結構，其中該多個延伸電極的間距為2至7微米。

8.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構位于該第二電性半導體層之中并與該第二電性半導體層形成歐姆接觸。

9.如權利要求8所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構位于該多個延伸電極相鄰的兩個之間。

10.如權利要求9所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構與相鄰該多個延伸電極其中之一者具有水平間隙，該水平間隙的長度為0至1微米。

11.如權利要求9所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構的寬度為1至5微米。

12.如權利要求9所述的發光二極管結構，還包括反射層，該反射層設于該電流分布輔助結構的一側。

13.如權利要求8所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構為多個獨立結構。

14.如權利要求8所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構為相互連接的整體結構。

15.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構為Ni/Au、Ni/Ag、Ni/Au/Ni或Ni/Ag/Ni。

16.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該電流分布輔助結構為透明導電氧化物薄膜。

17.一種發光二極管結構的制造方法，包括：

提供基板、第一電性半導體層、發光層以及第二電性半導體層的第一部分，其中該第一電性半導體層為P型半導體層及N型半導體層之一者、該第二電性半導體層為P型半導體層及N型半導體層中另一者；

利用光致抗蝕劑定義預設的形狀及位置于該第二電性半導體層上；

沉積導電材料層于該第二電性半導體層及該光致抗蝕劑上；

利用剝離法去除該光致抗蝕劑以及位于該光致抗蝕劑上的該導電材料層；

提供第二電性半導體層的第二部分于該導電材料層與該第二電性半導體層的第一部分上；以及

提供第一電性電極與第二電性電極，該第一電性電極與該第一電性半導體層電性連接且該第二電性電極與該第二電性半導體層電性連接，其中，該第二電性電極具有網狀結構。

18.如權利要求17所述的發光二極管結構的制造方法，其中在提供該第一電性電極之前，還包括移除部分的該第二電性半導體層、該發光層及該第一電性半導體層以曝露出部分的該第一電性半導體層，該第一電性電極形成于該第一電性半導體層上而與該第一電性半導體層電性連接。