[發(fā)明專利]X射線管的低偏置mA調(diào)制有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110042140.1 | 申請日: | 2011-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN102222593A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·萊邁特雷 | 申請(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01J35/06 | 分類號: | H01J35/06;H01J35/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;王忠忠 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射線 偏置 ma 調(diào)制 | ||
1.一種分段式熱離子發(fā)射體(68),其包括:
多個發(fā)射體片段(80),其大致上跨越所述分段式熱離子發(fā)射體(68)的長度并且大致上互相平行排列。
2.如權(quán)利要求1所述的分段式熱離子發(fā)射體(68),包括:
具有所述多個片段(80)的表面(78);以及
配置成將所述表面(78)分段的一個或多個分段電極(82、84),其中所述一個或多個分段電極(82、84)大致上互相平行設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的分段式熱離子發(fā)射體(68),其中所述多個片段(80)配置成允許使用大約0-2kV的電壓進行所述分段式熱離子發(fā)射體(68)的靜電調(diào)制。
4.如權(quán)利要求2所述的分段式熱離子發(fā)射體(68),其中所述熱離子發(fā)射體配置成代替X射線管(58)陰極的非分段式熱離子發(fā)射體(68)。
5.如權(quán)利要求2所述的分段式熱離子發(fā)射體(68),其中所述多個分段電極(82、84)成對設(shè)置在所述表面(78)上以形成每個片段(80),并且每對配置成單獨調(diào)制每個片段(80)。
6.如權(quán)利要求1所述的分段式熱離子發(fā)射體(68),其包括設(shè)置在所述多個片段(80)中的每個之間的一個或多個分段電極(82、84),其中所述一個或多個分段電極(82、84)配置成調(diào)制從所述多個片段(80)發(fā)射的射束(18)的電流。
7.如權(quán)利要求1所述的分段式熱離子發(fā)射體(68),其中所述片段(80)每個配置成發(fā)射電子束(18、100、102)。
8.一種X射線管(58),其包括:
陰極組件(14),其包括:
分段式熱離子發(fā)射體(68),其具有大致上跨越所述分段式熱離子發(fā)射體(68)的長度并且大致上互相平行排列的二至四個片段(80、96、98);以及
陽極(16);
其中所述陰極組件(14)和所述陽極(16)能夠處于從所述分段式熱離子發(fā)射體(68)的表面(78)提取電子的電勢,并且每個片段(80、96、98)配置成朝所述陽極(16)發(fā)射一個或多個電子束(18、100、102)。
9.如權(quán)利要求8所述的X射線管(58),其中所述分段式熱離子發(fā)射體(68)包括:
具有所述二至四個片段(80)的表面(78);以及
配置成將所述表面(78)分段的三至五個分段電極(82、84),所述三至五個分段電極(82、84)配置成使用偏置電壓調(diào)制從所述二至四個片段(80)發(fā)射的所述一個或多個電子束(18、100、102)的電流,其中所述三至五個分段電極(82、84)大致上互相平行設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的X射線管(58),其中當所述偏置電壓小于大約-2kV時,來自所述三至五個分段電極(82、84)的電子發(fā)射(18、100、102)大致上停止。
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