[發明專利]砷化鎵基短波長量子點超輻射發光二極管無效
| 申請號： | 201110041984.4 | 申請日： | 2011-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN102136534A | 公開（公告）日： | 2011-07-27 |
| 發明（設計）人： | 梁德春;李新坤;金鵬;王占國 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 砷化鎵基短 波長 量子 輻射 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種砷化鎵基短波長超輻射發光二極管，其有源區為砷化鎵鋁銦/砷化鎵鋁量子點材料；
2.一種砷化鎵基短波長超輻射發光二極管，其有源區為砷化鋁銦/砷化鎵鋁量子點材料；
3.一種砷化鎵基短波長超輻射發光二極管，其有源區為砷化銦/砷化鎵鋁亞單層量子點材料；
4.一種砷化鎵基短波長超輻射發光二極管，其有源區為啁啾結構砷化銦/砷化鎵鋁亞單層量子點材料；
5.一種砷化鎵基短波長超輻射發光二極管，其有源區為砷化銦/砷化鎵亞單層量子點材料；
6.一種砷化鎵基短波長超輻射發光二極管，其有源區為啁啾結構砷化銦/砷化鎵亞單層量子點材料。
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