[發(fā)明專利]垂直多接面太陽能電池的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110041981.0
• 申請日: 2011-02-18
• 公開（公告）號: CN102646749A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沙特貝那德L
• 申請（專利權(quán)）人: 美環(huán)光能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種垂直多接面太陽能電池的制作方法，其特征在于，包含：

(a)披覆一電介質(zhì)涂層于一光伏打組件上使其表面圖案化，以產(chǎn)生該光伏打組件中的受局限擴(kuò)散摻雜區(qū)，其中該光伏打組件包括一P型擴(kuò)散摻雜區(qū)或一N型擴(kuò)散摻雜區(qū)中的至少一個(gè)；

(b)金屬化該光伏打組件，其沉積一歐姆觸點(diǎn)至該光伏打組件的經(jīng)圖案化表面中的一者或多者上；

(c)堆棧一組經(jīng)圖案化、金屬化的該光伏打組件以形成一太陽能電池；以及

(d)于一處理過程使該太陽能電池的部署為PV效能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該處理過程包含熱處理程序、切割程序、拋光程序、清潔程序、整合程序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，該熱處理程序的熱處理溫度介于400℃至800℃之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該歐姆觸點(diǎn)的材料的熱膨脹系數(shù)與該光伏打組件的半導(dǎo)體材料的熱膨脹系數(shù)差異小于5％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該歐姆觸點(diǎn)的材料選自硅、鈦金屬、鈷金屬、鎢金屬、鉑金屬、鉿金屬、鉭金屬、鉬金屬、鉻金屬、鈀金屬、金金屬、銀金屬、銅金屬、鋁金屬及其合金之一。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該歐姆觸點(diǎn)的材料結(jié)構(gòu)為共晶結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該歐姆觸點(diǎn)的材料為一鋁硅合金。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，該鋁硅合金的鋁含量介于該鋁硅合金的60％至90％之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該歐姆觸點(diǎn)的材料厚度介于100奈米至5000奈米之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，該切割程序使該太陽能電池的結(jié)晶平面曝露或大致曝露給日光以建立鈍化的最低表面狀態(tài)。