[發明專利]生長氮化物半導體的方法及由其形成的氮化物半導體襯底

在審

• 申請號: 201110041543.4
• 申請日: 2011-02-21
• 公開（公告）號: CN102191539A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 樸性秀;李文相
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/40;H01L21/20;H01L33/00;H01L33/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李昕巍

1.一種生長氮化物半導體層的方法，該方法包括：

準備襯底；

在該襯底上形成氮化物半導體點；以及

在該氮化物半導體點上生長氮化物半導體層。

2.如權利要求1所述的方法，還包括在該氮化物半導體層的生長期間形成應力釋放層，在該應力釋放層中該氮化物半導體點彼此連接。

3.如權利要求2所述的方法，其中該氮化物半導體層具有一厚度，該厚度等于或大于該應力釋放層的厚度。

4.如權利要求2所述的方法，其中該應力釋放層的厚度為約1μm至100μm。

5.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體層利用鹵化物氣相外延法形成。

6.如權利要求5所述的方法，其中在利用鹵化物氣相外延法在該襯底上生長該氮化物半導體層時該氮化物半導體點原位形成。

7.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體點沿一個方向布置。

8.如權利要求1所述的方法，其中所生長的氮化物半導體層的厚度依賴于所述氮化物半導體點的尺寸。

9.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體點大多數具有約0.4μm或更大的尺寸。

10.如權利要求9所述的方法，其中該氮化物半導體點大多數具有0.4μm至0.8μm的尺寸。

11.如權利要求10所述的方法，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為100μm至1000μm。

12.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體點大多數具有約0.4μm或更小的尺寸。

13.如權利要求12所述的方法，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為約10μm或更小。

14.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體層和該氮化物半導體點包括鎵氮化物。

15.如權利要求14所述的方法，其中該氮化物半導體點具有六角晶體結構。

16.如權利要求14所述的方法，其中該襯底是藍寶石襯底。

17.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體層通過激光浮脫法從該襯底分離從而用作氮化物半導體襯底。

18.如權利要求17所述的方法，其中該氮化物半導體襯底是GaN襯底。

19.如權利要求17所述的方法，其中該氮化物半導體點在該氮化物半導體層的表面上或附近。

20.一種氮化物半導體襯底，包括：

氮化物半導體點；以及

在該氮化物半導體點上生長的氮化物半導體層。

21.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，還包括應力釋放層，在該氮化物半導體層的生長期間該氮化物半導體點在該應力釋放層中彼此連接。

22.如權利要求21所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體層具有一厚度，該厚度等于或大于該應力釋放層的厚度。

23.如權利要求21所述的氮化物半導體襯底，其中該應力釋放層的厚度為1μm至100μm。

24.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體點沿一個方向布置在該氮化物半導體層的表面上或附近。

25.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體點大多數具有0.4μm至0.8μm的尺寸。

26.如權利要求25所述的氮化物半導體襯底，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為100μm至1000μm。

27.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體點大多數具有約0.4μm或更小的尺寸。

28.如權利要求27所述的氮化物半導體襯底，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為約10μm.

29.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該半導體點在該氮化物半導體層的表面上具有六角晶體結構。