[發明專利]一種具有反射膜的陶瓷基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201110041440.8
• 申請日: 2011-02-14
• 公開（公告）號: CN102544543A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 江大祥;魏建承
• 申請（專利權）人: 同欣電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01M8/02
• 分類號: H01M8/02;H01M8/06;C04B41/90
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張睿

1.一種具有反射膜的陶瓷基板，所述基板至少包含：

一陶瓷基材，用以構成所述基板的主體；

一反射膜，所述反射膜至少包含一玻璃層與一具有金屬結晶的金屬膜，其中所述玻璃層是形成于陶瓷基材的一面上，所述具有金屬結晶的金屬膜系形成于所述玻璃層之上。

2.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜表面進一步設有一金膜。

3.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜可選自金或銀。

4.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜的金屬結晶直徑范圍為4至15微米。

5.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述玻璃層為至少一選自下述所構成的一組玻璃：PbO、SiO₂、CaO、Al₂O₃、Bi₂O₃、BaO、SrO、B₂O₃、MgO、ZrO、Fe₂O₃、MnO、CuO、CoO、Na₂O、P₂O₅、ZnO、GeO₂及其組合。

6.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板可反射波長大于1微米的紅外線。

7.如權利要求6所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板可反射波長介于2至12微米的紅外線。

8.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為90％。

9.如權利要求8所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為95％。

10.如權利要求9所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為97％。

11.如權利要求10所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為99％。

12.如權利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩定溫度至少為600度。

13.如權利要求12所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩定溫度至少為700度。

14.如權利要求13所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩定溫度至少為800度。

15.如權利要求14所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩定溫度至少為900度。

16.一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，所述方法至少包含下列步驟：

a.提供一陶瓷基材；

b.提供一反射膜材料于所述陶瓷基材上；

c.將貼有所述反射膜材料陶瓷基材以一預烘干溫度進行預烘干；

d.將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材以一預設燒結溫度進行燒結；

e.進行退火，以形成一具有反射膜的陶瓷基板。

17.如權利要求16所述的制造方法，其中在退火步驟e之后進一步執行一測量與判斷步驟f，測量所述反射膜的金屬膜的金屬結晶直徑，如所述反射膜的金屬膜的金屬結晶直徑未達到一預定范圍值，則重復燒結步驟d、退火步驟e及測量與判斷步驟f至所述反射膜的金屬膜的金屬結晶直徑達到一預定范圍值。

18.如權利要求17所述的制造方法，其中所述具有反射膜的陶瓷基板的金屬膜上進一步形成一金膜。

19.如權利要求17所述的制造方法，其中所述金膜是以濺鍍、電鍍、涂布或貼合方式形成于所述陶瓷基材上。

20.如權利要求16所述的制造方法，其中所述預烘干溫度至少為100度。

21.如權利要求20所述的制造方法，其中所述預烘干溫度為110至200度。

22.如權利要求16所述的制造方法，其中所述預烘干時間至少為10分鐘。

23.如權利要求22所述的制造方法，其中所述預烘干時間為15至20分鐘。