[發明專利]三氯硅烷制造裝置及制造方法

有效

• 申請號: 201110041339.2
• 申請日: 2011-02-17
• 公開（公告）號: CN102161489A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 村上直也;斎木涉
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱美紅;楊楷

1.一種三氯硅烷制造裝置，是由包括四氯硅烷和氫的原料氣體制造三氯硅烷的裝置，其特征在于，

具備：

反應容器，具備大致筒狀的壁體、將該壁體的上端封閉的頂板及將下端封閉的底板，由上述原料氣體生成包括三氯硅烷和氯化氫的反應氣體；

多個加熱器，設置在上述反應容器內，將上述原料氣體加熱；

在上述壁體的下部，設有用于將上述原料氣體供給到被上述壁體、頂板、及底板包圍的反應室的氣體導入流路；

上述加熱器具有沿上下方向延伸、被供電而發熱的發熱體、和固定在上述底板上、支承該發熱體的下端的承受臺；

在上述發熱體上，沿著水平方向設有在其高度方向的中途位置且上述氣體導入流路的上方配置的凸緣，

在相鄰的上述加熱器間，形成有由上述凸緣縮窄的上述原料氣體的流路。

2.如權利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，

上述發熱體具有發熱量較小而設在下部的非發熱部、和發熱量較大而設在上述非發熱部的上部的發熱部；

上述凸緣設在比上述發熱部靠下方。

3.如權利要求2所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，上述凸緣設在上述非發熱部與上述發熱部的邊界部上。

4.如權利要求1～3中任一項所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，相鄰的上述發熱體中的上述凸緣的高度方向的位置不同。

5.如權利要求1或2所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，在一個上述發熱體上設有多級的上述凸緣。

6.如權利要求5所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，相鄰的上述發熱體的上述凸緣的高度方向的位置不同。

7.一種三氯硅烷制造方法，是由包括四氯硅烷和氫的原料氣體制造三氯硅烷的方法，其特征在于，

通過將具有在中途位置具備凸緣的發熱體的多個加熱器排列、以使上述發熱體沿著使原料氣體流通的上下方向延伸、并且在相鄰的上述加熱器間形成由上述凸緣縮窄的上述原料氣體的流路，將上述原料氣體一邊整流一邊直接加熱。