[發明專利]太陽能電池與其制造方法

無效

• 申請號: 201110041337.3
• 申請日: 2011-02-16
• 公開（公告）號: CN102646729A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 唐偉程;林景穎;杜慶豪;林綱正
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種太陽能電池，其特征在于，包含：

一半導體基板，具有相對的一第一表面和一第二表面；

一射極層，形成于該第一表面上，以形成一PN接面；

一陽極處理氧化鋁層，形成于該第二表面上，其中該陽極處理氧化鋁層具有數個納米級孔洞；以及

一背面電極，形成于該陽極處理氧化鋁層上，其中該背面電極的一部分是形成于該些納米級孔洞中，以使該背面電極與該半導體基板電性連接。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，還包含一正面電極，形成于該射極層上。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，該正面電極的材質為銀。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該些孔洞的直徑是介于10納米至500納米間。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該背面電極的材質為鋁或銀、鋁混合物。

6.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，至少包含：

提供一半導體基板，其中該半導體基板具有相對的一第一表面和一第二表面；

形成一射極層于該第一表面上，以形成一PN接面；

以陽極氧化鋁處理技術來形成一陽極處理氧化鋁層于該第二表面上，其中該陽極處理氧化鋁層具有數個納米級孔洞；以及

形成一背面電極于該陽極處理氧化鋁層上，其中該背面電極的一部分是形成于該些納米級孔洞中，以使該背面電極與該半導體基板電性連接。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包含形成一正面電極于該射極層上。

8.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該背面電極的步驟包含：

涂布一電極材料于該陽極處理氧化鋁層上，并使該電極材料流入該些納米級孔洞中；以及

硬化該電極材料來形成該背面電極。

9.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該陽極處理氧化鋁層的步驟包含：

沉積一鋁層于該半導體基板的該第二表面上；

對該鋁層進行一第一陽極處理，以使該鋁層一部分轉變成一第一氧化鋁層；

移除該第一氧化鋁層；

對剩余的鋁層進行一第二陽極處理，以使該剩余的鋁層轉變成一第二氧化鋁層，其中該第二氧化鋁層具有該些納米級孔洞；以及

進行一蝕刻步驟，以利用一酸液來蝕刻該些納米級孔洞，以使該些納米級孔洞貫穿該第二氧化鋁層。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該酸液為磷酸、草酸或硫酸。