[發明專利]降低GaN外延生長位錯集中的微納米結構及其應用有效
| 申請號： | 201110040708.6 | 申請日： | 2011-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN102176500A | 公開（公告）日： | 2011-09-07 |
| 發明（設計）人： | 王敏銳;方運;張寶順;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 gan 外延 生長 集中 納米 結構 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低GaN外延生長位錯集中的微納米結構，其特征在于，所述微納米結構的圖形由陣列排布的復數個封閉單元組成，每一封閉單元為由微納米凸起脊相互連接成的多邊形結構，且每一封閉單元在平行于襯底表面的平面內形成的各夾角之和為180°的整數倍；
所述多邊形結構為三角形結構或六邊形結構，若為三角形結構，其任一頂點和與該頂點相對的邊之間由平面結構連接，且該兩者的間距為0.4～15μm，若為六邊形結構，則其相互平行的兩條邊之間由平面結構連接，且該兩者的間距也為0.4～15μm；
所述微納米凸起脊的垂直截面為圓錐形或頂點與底邊兩個端點之間各由兩條曲線連接的多邊形截面結構。
2.根據權利要求1所述的降低GaN外延生長位錯集中的微納米結構，其特征在于，所述多邊形截面的頂角為20～160°，底邊長度為0.2～8μm，截面頂邊與底邊之間的垂直距離為0.2-3μm。
3.如權利要求1所述的降低GaN外延生長位錯集中的微納米結構在制備發光二極管和生長GaN基外延材料中的應用。
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