[發(fā)明專利]制造半導體器件的方法、顆粒和半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110040312.1
• 申請日: 2011-02-16
• 公開（公告）號: CN102169844A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發(fā)明（設計）人: 別宮史浩
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/00
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在絕緣層的表面層上形成電極焊盤；

在所述電極焊盤的上方設置導電顆粒，所述導電顆粒的至少一部分表面被熱塑性樹脂覆蓋；以及

通過加熱所述樹脂以使所述樹脂軟化、然后在所述導電顆粒和所述電極焊盤彼此電連接之后冷卻和固化所述樹脂，來使用所述樹脂將所述導電顆粒固定到所述電極焊盤的上方，以將所述導電顆粒形成為外部連接端子。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，

其中，所述樹脂由從聚乙烯、聚丙烯、丙烯酸類樹脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、ABS樹脂、AS樹脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性的聚苯醚、聚對苯二甲酸乙二醇酯、和芳香族聚醚酮組成的組中選擇的至少一個形成。

3.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，

其中，所述導電顆粒的直徑等于或大于1μm并且等于或小于50μm。

4.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，

在所述電極焊盤的上方設置所述導電顆粒的所述步驟包括：

給所述導電顆粒充電；以及

在所述絕緣層的上方設置帶電的所述導電顆粒，同時向所述電極焊盤施加極性與所述導電顆粒的極性相反的電壓，并且通過在所述導電顆粒與所述電極焊盤之間產(chǎn)生電吸引作用，將所述導電顆粒設置在所述電極焊盤的上方。

5.根據(jù)權利要求4所述的用于制造半導體器件的方法，

其中，所述電極焊盤通過用于防止靜電擊穿的保護性器件而連接到所述半導體器件的襯底，以及

在所述電極焊盤的上方設置所述導電顆粒的所述步驟中，將所述半導體器件放置在至少其表面導電的平臺上，并且通過向所述平臺的所述表面施加具有相反極性的所述電壓，通過所述半導體器件的所述襯底和用于防止靜電擊穿的所述保護性器件，向所述電極焊盤施加具有所述相反極性的所述電壓。

6.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，還包括：

在所述電極焊盤的上方設置所述導電顆粒的所述步驟之后，在所述樹脂被加熱和軟化的狀態(tài)下，將所述導電顆粒壓向所述電極焊盤。

7.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，還包括：

在形成所述電極焊盤的所述步驟之前，在所述絕緣層中形成從平面圖看時與所述電極焊盤重疊的凹進部分。

8.一種用于形成半導體器件的外部連接端子的顆粒，所述顆粒包括：

導電顆粒；以及

用于覆蓋所述導電顆粒的至少一部分表面的熱塑性樹脂。

9.根據(jù)權利要求8所述的顆粒，

其中，所述導電顆粒的直徑等于或大于1μm并且等于或小于50μm。

10.根據(jù)權利要求8所述的顆粒，

其中，所述樹脂由從聚乙烯、聚丙烯、丙烯酸類樹脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、ABS樹脂、AS樹脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性的聚苯醚、聚對苯二甲酸乙二醇酯、和芳香族聚醚酮組成的組中選擇的至少一個形成。

11.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

電極焊盤；

導電顆粒，所述導電顆粒設置在所述電極焊盤的上方；以及

樹脂，所述樹脂被提供到所述電極焊盤與所述導電顆粒彼此接觸的部分中，以將所述導電顆粒固定到所述電極焊盤。