[發明專利]發光器件和具有發光器件的發光器件封裝

有效

• 申請號: 201110038114.1
• 申請日: 2011-02-11
• 公開（公告）號: CN102157653A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 宋俊午;文智炯;李尚烈;丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

技術領域

本發明涉及發光器件和具有發光器件的發光器件封裝。

背景技術

由于其物理和化學特性，III-V族氮化物半導體已經被廣泛地用作用于諸如發光二極管(LED)或者激光二極管(LD)的發光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半導體包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)的組成式的半導體材料。

LED是通過使用化合物半導體的特性將電信號轉換為紅外線或者光來發送/接收信號的半導體器件。LED還被用作光源。

使用氮化物半導體材料的LED或者LD主要用于發光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于諸如蜂窩電話的鍵區發光部分、電子標識牌、以及發光裝置的各種產品的光源。

發明內容

實施例提供發光器件和發光器件封裝，其能夠防止化合物半導體層由于基板分離工藝導致的損壞。

實施例提供發光器件和具有發光器件的發光器件封裝，其中第一導電類型半導體層具有臺階結構。

根據實施例，發光器件包括：發光結構，該發光結構包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層，其中該第一導電類型半導體層包括具有低于其第一頂表面的第二頂表面的臺階結構；絕緣層，該絕緣層被布置在發光結構的側表面和第一導電類型半導體層的第二頂表面上；電極，該電極與第一導電類型半導體層電氣地連接；電極層，其在第二導電類型半導體層下面；以及保護層，該保護層被布置在第二導電類型半導體層的下表面的外圍部分上。

根據實施例，發光器件包括：發光結構，該發光結構包括具有臺階結構的第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層；絕緣層，該絕緣層被布置在發光結構的外圍部分上；電極，該電極與第一導電類型半導體層電氣地連接；包括歐姆層的電極層，其在第二導電類型半導體層的下面；以及保護層，該保護層形成在第二導電類型半導體層的下表面周圍，其中該第一導電類型半導體層的臺階結構包括在第一側表面和電極之間的第一凹陷部分、在第二側表面和電極之間的第二凹陷部分、以及被連接到第一凹陷部分和第二凹陷部分的第三凹陷部分。

根據實施例，發光器件封裝包括：主體；主體上的多個引線電極；發光器件，該發光器件被提供在引線電極中的至少一個上，并且與引線電極電氣地連接；以及發光器件上的成型構件。該發光器件包括：發光結構，該發光結構包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層，其中該第一導電類型半導體層包括具有低于其第一頂表面的第二頂表面的臺階結構；絕緣層，該絕緣層被布置在發光結構的側表面和第一導電類型半導體層的第二頂表面上；電極，該電極與第一導電類型半導體層電氣地連接；電極層，其在第二導電類型半導體層的下面；以及保護層，該保護層被布置在第二導電類型半導體層的下表面的外圍部分上。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的發光器件的側截面圖；

圖2是圖1的平面圖；

圖3至圖13是示出圖1的發光器件的截面圖；

圖14是示出根據第二實施例的發光器件的側截面圖；

圖15是示出根據第三實施例的發光器件的側截面圖；

圖16和圖17是示出根據第四實施例的發光器件的制造方法的截面圖。

圖18和圖19是示出根據第五實施例的發光器件的制造方法的截面圖。

圖20是示出根據實施例的發光器件封裝的側截面圖；

圖21是設置有圖20的發光器件封裝的顯示設備的分解透視圖；

圖22是示出設置有圖20的發光器件封裝的顯示設備的另一示例的示意性截面圖；以及

圖23是設置有圖20的發光器件封裝的照明設備的透視圖。

具體實施方式

在實施例的描述中，將理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一基板、另一層(或膜)、另一區域、另一墊或另一圖案“上”或“下”時，它能夠“直接”或“間接”在另一基板、層(或膜)、區域、墊或圖案上，或者也可以存在一個或多個中間層。已經參考附圖描述了層的這樣的位置。

在下文中，將會參考附圖描述實施例。為了方便或清楚起見，附圖中所示的每層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸沒有完全反映真實尺寸。

圖1是示出根據第一實施例的發光器件100的側截面圖，并且圖2是圖1的平面圖。