[發明專利]一種P型中低阻硅芯載體的制作方法無效
| 申請號： | 201110037060.7 | 申請日： | 2011-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN102162122A | 公開（公告）日： | 2011-08-24 |
| 發明（設計）人： | 王體虎;施正榮 | 申請（專利權）人： | 亞洲硅業（青海）有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00 |
| 代理公司： | 西寧金語專利代理事務所 63101 | 代理人： | 哈慶華 |
| 地址： | 810007 青海省西寧市*** | 國省代碼： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 型中低阻硅芯 載體 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種P型中低阻硅芯載體的制作方法，其特征在于該方法包含以下步驟：
a.選取高純原料硅錠；
b.在原料硅錠端頭處鉆一柱形孔，清洗并干燥該孔；
c.將處理后的原料硅錠放置入區熔爐內并固定；
d.從冷藏箱內迅速取出適量高純金屬鎵放進原料硅錠端頭的柱形孔內，封口；
金屬鎵用量MGa的計算方法為：
MGa=?CS*mGa*VR?/?NA*Ko
Cs(cm-3)是硅中摻雜鎵元素的預期濃度，mGa為Ga的原子量，NA為阿伏伽德羅常數，VR(cm3)是區熔時的熔區體積，K0為鎵的平衡分凝系數，K0=0.008；
e.進行區熔拉制硅芯操作。
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