[發明專利]納米碳化硅用于超級電容器電極材料

無效

• 申請號: 201110036385.3
• 申請日: 2011-02-11
• 公開（公告）號: CN102637529A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 張澤森;張少波;張洪濤
• 申請（專利權）人: 張澤森;張少波;張洪濤
• 主分類號: H01G9/042
• 分類號: H01G9/042;H01M4/583
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超級電容器電極材料，其特征在于電極材料由納米線碳化硅、導電聚合物和金屬復合氧化物復合而成。

2.根據權利要求書1所述的電極材料，其特征在于所述導電聚合物為聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚喹啉、聚吡啶等的一種或幾種。

3.根據權利要求書1所述的電極材料，其特征在于所述金屬復合氧化物中有一種元素為Li。

4.根據權利要求3所述的電極材料，其特征在于所述金屬復合氧化物為Li₄Ti₅O₁₂、LiMn₂O₄、LiCocO₂、LiFeO₂、LiNiO₂等的一種或幾種。

5.根據權利要求2或3所述的電極材料，其特征在于電極材料在制成電極片之后，經過預處理，形成SEI膜，然后再組裝成電容器。

6.根據權利要求1所述的電極材料，其特征在于所述導電聚合物在復合材料中的重量百分比在0％～95％之間。

7.根據權利要求1所述的電極材料，其特征在于所述金屬復合氧化物在復合材料中的重量百分比在0％～98％之間。

8.根據權利要求6或7所述的電極材料，其特征在于所述聚合物或金屬復合氧化物在復合材料中的重量百分比在0.1％～80％之間。

9.根據權利要求1所述的電極材料，其特征在于所述納米碳化硅直徑在0.5～200nm，且納米碳化硅表面非晶化小于30％。

10.根據權利要求9所述的電極材料，其特征在于所述的納米線碳化硅還包括納米管碳化硅、球形納米碳化硅和非晶態碳化硅等。