[發明專利]用來進行區塊管理的方法、記憶裝置及其控制器

有效

• 申請號: 201110036327.0
• 申請日: 2011-02-11
• 公開（公告）號: CN102637146A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 沈揚智
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 易釗

技術領域

本發明有關于具有多通道的閃存(Flash?Memory)的存取(Access)，更具體地說，涉及一種用來進行區塊管理的方法以及相關的記憶裝置及其控制器。

背景技術

近年來由于閃存的技術不斷地發展，各種可攜式記憶裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD標準的記憶卡)或具備閃存的固態硬盤(Solid?State?Drive，SSD)被廣泛地實施在諸多應用中。因此，這些記憶裝置中的閃存的訪問控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可區分為單階細胞(Single?LevelCell，SLC)與多階細胞(Multiple?Level?Cell，MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管的儲存能力則被充分利用，采用較高的電壓來驅動，以透過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄兩組(或以上)位信息(00、01、11、10)；理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的兩倍，這對于曾經在發展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關產業而言，是非常好的消息。

相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的可攜式記憶裝置競相采用的主流。然而，多階細胞閃存的不穩定性所導致的問題也一一浮現。為了確保記憶裝置對閃存的訪問控制能符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數據的存取。

依據相關技術，有了這些管理機制的記憶裝置還是有不足之處。舉例來說，相關技術的管理機制無法保證在搭配多通道的閃存進行清除運作時能達到最佳的處理效能。尤其是，在針對一超區塊(Meta?Block)進行一清除運作的期間，若該超區塊中在某一通道沒有有效頁(Valid?Page)，則在移動/復制該超區塊中的有效數據時該信道處于閑置(Idle)狀態。因此，需要一種新穎的方法來進行區塊管理，以在進行清除運作時能達到最佳的處理效能。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的管理機制無法保證在搭配多通道的閃存進行清除運作時能達到最佳的處理效能的缺陷，提供一種用來進行區塊管理的方法以及相關的記憶裝置及其控制器，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于提供一種用來進行區塊管理的方法以及相關的記憶裝置及其控制器，以在進行清除運作時能達到最佳的處理效能。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案之一是：提供一種用來進行區塊管理的方法，該方法應用于具有多通道(Channel)的閃存(Flash?Memory)的控制器，該閃存包含分別對應于該些通道的多個區塊，該方法包含有：選擇具有至少一有效頁(Valid?Page)的至少一超區塊(Meta?Block)作為至少一候選超區塊以供清除，并且累積(Accumulate)該至少一候選超區塊中分別對應于該些通道的區塊的各個有效頁數量(Valid?Page?Count)，以產生分別對應于該些通道的多個累積值，其中每一超區塊中的區塊分別對應于該些通道，且每一有效頁的數據包含有效數據；以及當偵測到該些累積值均達到一第一門坎值時，針對所有的候選超區塊觸發一清除運作，以在進行該清除運作的期間同時地移動/復制分別對應于該些信道的有效數據。

上述本發明所述的方法，其中選擇具有該至少一有效頁的該至少一超區塊作為該至少一候選超區塊以供清除的步驟另包含：

將該至少一超區塊的至少一索引暫時地儲存在一清除清單，以將該至少一超區塊標示為該至少一候選超區塊，其中該些候選超區塊的索引分別被暫時地儲存在該清除清單。

上述本發明所述的方法，其中針對該些候選超區塊觸發該清除運作以在進行該清除運作的期間同時地移動/復制分別對應于該些信道的有效數據的步驟另包含：

當偵測到該些累積值均達到該第一門坎值時，針對該些索引所指出的該些候選超區塊觸發該清除運作，以在進行該清除運作的期間同時地移動/復制分別對應于該些信道的有效數據。

上述本發明所述的方法，其另包含有：

在觸發該清除運作之后，將該至少一索引從該清除列表移除。

上述本發明所述的方法，其中選擇具有該至少一有效頁的該至少一超區塊作為該至少一候選超區塊以供清除的步驟另包含：