[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及照明系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110036281.2
• 申請(qǐng)日: 2011-02-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102148302A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜大成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/16
• 分類號(hào): H01L33/16;H01L33/20
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求與2010年2月4日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2010-0010205的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過(guò)引用整體合并在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及照明系統(tǒng)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)被頻繁地用作發(fā)光器件。

LED是將電流轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

從該種LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)根據(jù)在制造LED中使用的半導(dǎo)體材料而變化。這是因?yàn)楸话l(fā)射的光的波長(zhǎng)根據(jù)表現(xiàn)價(jià)帶電子和導(dǎo)帶電子之間的能量差的半導(dǎo)體材料的帶隙而變化。

LED的亮度已經(jīng)被逐漸地增加使得LED被用作用于顯示器、汽車、以及照明的光源，并且能夠通過(guò)使用熒光體或者組合各種顏色的LED來(lái)實(shí)現(xiàn)以優(yōu)秀的效率發(fā)射白光的LED。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例提供發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及照明系統(tǒng)。

實(shí)施例還提供具有改善的光提取效率的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及照明系統(tǒng)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件，包括：襯底，該襯底在C面上具有突出(protrusions)，并且以六邊形結(jié)構(gòu)構(gòu)造其單位晶胞(unit?cell)；半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層被形成在襯底上，其中，在所述突出的側(cè)面處形成空的空間，并且以六邊形結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)造其單位晶胞；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括被形成在半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及被形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，其中，所述襯底的A面和所述半導(dǎo)體層的A面形成大于0度的角，并且所述突出包括R面。

根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件，包括：封裝主體；封裝主體上的第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極被相互電氣地分離；封裝主體上的發(fā)光器件，該發(fā)光器件被電氣地連接到第一電極和第二電極；以及成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件包圍封裝主體上的發(fā)光器件，其中，該發(fā)光器件包括：襯底，該襯底在C面上具有突出，并且以六邊形結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)造其單位晶胞；半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層被形成在襯底上，其中在突出的側(cè)面處形成空的空間，并且以六邊形結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)造其單位晶胞；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括被形成在半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及被形成在的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，其中，襯底的A面和半導(dǎo)體層的A面形成大于0度的角，并且所述突出包括R面。

根據(jù)又一實(shí)施例的使用發(fā)光器件作為光源的照明系統(tǒng)包括：發(fā)光模塊，該發(fā)光模塊包括一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光器件，其中，該發(fā)光器件包括：襯底，該襯底在C面上具有突出，并且以六邊形結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)造其單位晶胞；半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層被形成在襯底上，其中在突出的側(cè)面處形成空的空間，并且以六邊形結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)造其單位晶胞；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括被形成在半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及被形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，其中，該襯底的A面和半導(dǎo)體層的A面形成大于0度的角，并且所述突出包括R面。

在附圖和下面的描述中闡述一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的詳情。從描述和附圖，以及從權(quán)利要求中，其它的特征將是顯而易見(jiàn)的。

附圖說(shuō)明

圖1是描述藍(lán)寶石的晶體結(jié)構(gòu)的視圖。

圖2是示出作為III-V族氮化物化合物半導(dǎo)體的GaN的單位晶胞的視圖。

圖3是示出在藍(lán)寶石襯底的C面中的原子排列的視圖。

圖4是描述在藍(lán)寶石襯底的C面中的原子排列，和GaN的原子排列的視圖。

圖5是示出突出已經(jīng)被形成并且GaN層已經(jīng)被生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底的C面上的視圖。

圖6是描述被形成在藍(lán)寶石襯底的C面上的突出的一側(cè)中的空的空間的光學(xué)顯微鏡的照片。

圖7和圖8是描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件、和制造發(fā)光器件的方法的視圖。

圖9是描述在其中安裝根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的視圖。

圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的背光單元的視圖。

圖11是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在詳細(xì)地參考本公開(kāi)的實(shí)施例，在附圖中示出其示例。

將會(huì)參考附圖詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件。然而，可以以不同的形式體現(xiàn)本發(fā)明，并且不應(yīng)將本發(fā)明解釋為受限于在此提出的實(shí)施例；而是，通過(guò)添加、替代、以及更改能夠容易地推論出被包括在其它的溯源發(fā)明(retrogressive?invention)中或者屬于本公開(kāi)的精神和范圍內(nèi)的可替代的實(shí)施例，并且其將會(huì)使本發(fā)明的概念完全地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。